Динамика релаксации люминесценции планарных и свернутых нанокристаллов CdSe в матрице фотонного кристалла

Автор: | 17.11.2022

А. С. Селюков, М. И. Данилкин, С. П. Елисеев, А. С. Кузнецов, В. П. Графова, С. О. Климонский, Ю. Г. Вайнер, Р. Б. Васильев, А. Г. Витухновский

  • Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва
  • Всероссийский институт научной и технической информации РАН, г. Москва
  • Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет), г. Долгопрудный, Московская обл.
  • Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
  • Институт спектроскопии РАН, г. Москва, г. Троицк
Аннотация: Приведены результаты исследования образцов инвертированных фотонно-кристаллических пленок, содержащих планарные и свернутые в форме свитков нанокристаллы CdSe. Получены спектры пропускания данных структур, подтверждающие наряду с изменением цвета пленок вхождение в них нанокристаллов, изучена динамика затухания интенсивности фотолюминесценции. Показано, что фотонно-кристаллическая матрица оказывает существенное влияние на кинетику люминесценции наноструктур. Различия кривых затухания, измеренных для нанокристаллов в фотонно-кристаллической матрице и для их ансамбля на стеклянной подложке, объяснены влиянием стоп-зоны фотонного кристалла, а также самой кристаллической матрицы, которая ориентирует анизотропные нанокристаллы и предотвращает их агрегацию. Полученные результаты могут представлять существенный интерес с точки зрения потенциальных применений в оптоэлектронных устройствах.
Ключевые слова: нанопластины, наносвитки, CdSe, фотонный кристалл, кинетика люминесценции
Поступила в редакцию: 03.02.2020
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2020, 50:3, 252–255
Образец цитирования: А. С. Селюков, М. И. Данилкин, С. П. Елисеев, А. С. Кузнецов, В. П. Графова, С. О. Климонский, Ю. Г. Вайнер, Р. Б. Васильев, А. Г. Витухновский, “Динамика релаксации люминесценции планарных и свернутых нанокристаллов CdSe в матрице фотонного кристалла”, Квантовая электроника, 50:3 (2020), 252–255 [Quantum Electron., 50:3 (2020), 252–255]