Порог оптического повреждения кристалла BaGa2GeS6 фемто- и пикосекундными лазерными импульсами с длиной волны 1.03 мкм

Автор: | 26.05.2026

Д. В. Бадиков, М. В. Ионин, И. О. Киняевский, П. П. Пахольчук, Ф. С. Смык

  • Кубанский государственный университет, Россия, 350040 Краснодар, ул. Ставропольская, 149
  • Физический институт им. П.Н.Лебедева РАН, Россия, 119991 Москва, Ленинский
    просп., 53
  • Московский государственный университет геодезии и картографии, Россия, 105064 Москва, Гороховский переулок, 4
Аннотация: Экспериментально измерен порог оптического повреждения поверхности кристалла BaGa2GeS6 под действием лазерных импульсов с длиной волны 1.03 мкм и длительностью от 0.3 до 10 пс. При одноимпульсном воздействии пороговая плотность энергии оптического повреждения для импульсов длительностью 0.3 пс составляла ~0.6 Дж/см2 (интенсивность ~1.8 ТВт/см2) и плавно увеличивалась до 2.2 Дж/см2 (интенсивность ~0.22 ТВт/см2) для импульсов длительностью 10 пс. Обнаружена слабая зависимость порога оптического повреждения поверхности кристалла BaGa2GeS6 от частоты следования импульсов: при увеличении частоты с 1 Гц до 100 кГц порог оптического повреждения уменьшился с 0.6 до 0.45 Дж/см2. Анализ литературных данных показал, что порог оптического повреждения BaGa2GeS6 для фемто- и пикосекундных лазерных импульсов с длиной волны 1 мкм оказался на порядок выше, чем у традиционных нелинейных кристаллов, таких как AgGaS2 и LiGaS2.
Ключевые слова: BaGa2GeS6, порог оптического повреждения, фемтосекундный лазер, пикосекундный лазер, параметрическое преобразование частоты, ближний ИК диапазон.
Поступила в редакцию: 16.10.2025
После доработки: 13.11.2025
Принята в печать: 20.11.2025
Образец цитирования: Д. В. Бадиков, М. В. Ионин, И. О. Киняевский, П. П. Пахольчук, Ф. С. Смык, «Порог оптического повреждения кристалла BaGa2GeS6 фемто- и пикосекундными лазерными импульсами с длиной волны 1.03 мкм», Квантовая электроника, 56 : 2 (2026), 78-81

Скачать (.pdf)