А. О. Колесников, М. Д. Логачев, Е. Н. Рагозин, А. Н. Шатохин, Е. А. Вишняков, В. Н. Михайлов, В. П. Ратушный, Р. В. Гайнутдинов, А. Л. Толстихина
- Физический институт им. П.Н.Лебедева РАН, Россия, 119991 Москва, Ленинский просп., 53
- ООО «ХолоГрэйт», Россия, Ленинградская область, 188643 Всеволожск, Южное шоссе, 136
- Институт кристаллографии им. А.В.Шубникова Курчатовского комплекса кристаллографии и фотоники НИЦ «Курчатовский институт», Россия, 119991 Москва, Ленинский просп., 59, стр. 1
Аннотация: Изготовлены методом интерференционной литографии на длине волны 488 нм аргонового ионного лазера и измерены сферические VLS-решетки с частотой штрихов в центре 3200 мм–1 и радиусом кривизны 23.55 мкм. Рассчитана оптическая схема литографии для получения проектного распределения плотности интерференционных полос на заготовке решетки. Решетки предназначены для мягкого рентгеновского спектрографа скользящего падения с плоским полем длиной 4 см, охватывающим диапазон длин волн 1 – 5 нм. Полученное распределение частоты штрихов было измерено в автоколлимационной схеме на длине волны 532 нм, что показало отличное соответствие проектному распределению. Измерен профиль поверхности VLS-решеток с помощью атомно-силовой микроскопии, а их эффективность моделировалась в первом порядке дифракции.
Ключевые слова: мягкое рентгеновское излучение, спектрограф с плоским полем, VLS-решетка, интерференционная литография, ионный аргоновый лазер, профиль штриха.
Поступила в редакцию: 17.09.2025
Принята в печать: 20.03.2026
Образец цитирования: А. О. Колесников, М. Д. Логачев, Е. Н. Рагозин, А. Н. Шатохин, Е. А. Вишняков, В. Н. Михайлов, В. П. Ратушный, Р. В. Гайнутдинов, А. Л. Толстихина, «VLS-решетка с высокой частотой штрихов», Квантовая электроника, 56 : 2 (2026), 103-106
Скачать (.pdf)