С. А. Савинов, Ю. А. Митягин, М. П. Теленков, П. С. Клеммер, В. В. Воронова, Д. А. Пашкеев, В. П. Мартовицкий, П. Ф. Карцев, А. Л. Васильев
Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
Российский технологический университет «МИРЭА», Россия, Москва
Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», Россия, Москва
Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт», Россия, Москва
Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет), Россия, Московская обл., Долгопрудный
Аннотация: Проведено экспериментальное исследование метода управления положением энергетических подзон в широкой квантовой яме путем введения в нее тонких туннельно-прозрачных барьеров. Результаты просвечивающей электронной микроскопии и рентгеновской дифрактометрии показали хорошее эпитаксиальное качество выращенных GaAs/AlGaAs-гетероструктур различной конфигурации, в том числе с предельно тонкими слоями толщиной 1 – 2 нм. С помощью низкотемпературной фотолюминесценции продемонстрирован сдвиг энергии рекомбинации экситона в сторону более высоких значений по мере увеличения числа вводимых барьеров. Установлено, что экспериментальные и теоретические значения энергий нижней электронной и верхней дырочной подзон качественно согласуются друг с другом и охватывают широкий диапазон от дна квантовых ям вплоть до непрерывного спектра.
Образец цитирования: С. А. Савинов, Ю. А. Митягин, М. П. Теленков, П. С. Клеммер, В. В. Воронова, Д. А. Пашкеев, В. П. Мартовицкий, П. Ф. Карцев, А. Л. Васильев, “Управление положением энергетических подзон в гетероструктурах GaAs/AlGaAs в широком диапазоне вплоть до непрерывного спектра”, Квантовая электроника, 56:4 (2026), 242–246