С.Ш. Рехвиашвили, Д. С. Гаев, З. Ч. Маргушев
- Институт прикладной математики и автоматизации КБНЦ РАН, Россия, Кабардино-Балкарская Республика, Нальчик
- Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М.Бербекова, Россия, Кабардино-Балкарская Республика, Нальчик
- Институт информатики и проблем регионального управления КБНЦ РАН, Россия, Кабардино-Балкарская Республика, Нальчик
Аннотация: Проведены исследования спектров видимого излучения поликристаллического графита при электрическом и лазерном способах возбуждения. Показано, что в материале реализуются два различных механизма испускания фотонов с широкополосным спектром. Излучение, возникающее в результате резистивного нагрева, является тепловым излучением, которое близко по своим свойствам к излучению абсолютно черного тела. Лазерно-индуцированное вторичное излучение в видимом диапазоне представляет собой антистоксову люминесценцию. Обнаруживается красное смещение спектра лазерно-индуцированного излучения мелкодисперсного графита относительно аналогичного спектра массивного образца.
Ключевые слова: поликристаллический графит, широкополосное излучение, тепловое излучение, антистоксова люминесценция, вынужденное комбинационное рассеяние.
Поступила в редакцию: 07.09.2021
Исправленный вариант: 17.11.2021
Принята в печать:17.11.2021
Образец цитирования: С.Ш. Рехвиашвили, Д. С. Гаев, З. Ч. Маргушев, “Широкополосное излучение поликристаллического графита”, Квантовая электроника, 52:4 (2022), 382–385 [Quantum Electron., 52:4 (2022), 382–385]