М. И. Скворцов, С. Р. Абдуллина, А. А. Вольф, А. В. Достовалов, А. Е. Чурин, О. Н. Егорова, С. Л. Семёнов, К. В. Проскурина, С. А. Бабин
- Институт автоматики и электрометрии СО РАН, г. Новосибирск
- Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
- Институт общей физики им. А.М.Прохорова РАН, Научный центр волоконной оптики им. Е.М. Дианова, г. Москва
Аннотация: Технология записи структур фемтосекундным лазерным излучением позволяет изготавливать неупорядоченные структуры, способные усиливать интенсивность обратного рэлеевского рассеяния внутри волоконного световода при относительно низких наведенных потерях, что делает актуальным их применение в качестве отражателей в волоконных лазерах. Нами представлен узкополосный эрбиевый лазер со случайной распределенной обратной связью, созданной с применением методики фемтосекундной записи, в конфигурациях с полуоткрытым и кольцевым резонаторами. Для схемы с полуоткрытым резонатором одночастотный режим генерации наблюдался до уровня выходной мощности 2.8 мВт, при этом ширина линии составила около 10 кГц. Для конфигурации, включающей кольцевой резонатор, одночастотный режим наблюдался во всем диапазоне мощности генерации. При максимальной выходной мощности 7 мВт ширина линии не превышала 0.7 кГц.
Ключевые слова: одночастотный волоконный лазер, случайная распределенная обратная связь, фемтосекундная модификация показателя преломления.
Поступила в редакцию: 26.10.2021
Образец цитирования: М. И. Скворцов, С. Р. Абдуллина, А. А. Вольф, А. В. Достовалов, А. Е. Чурин, О. Н. Егорова, С. Л. Семёнов, К. В. Проскурина, С. А. Бабин, “Одночастотный эрбиевый лазер со случайной распределенной обратной связью на основе неупорядоченных структур, созданных фемтосекундным лазерным излучением”, Квантовая электроника, 51:12 (2021), 1051–1055 [Quantum Electron., 51:12 (2021), 1051–1055]
Скачать (.pdf)