Разработка и исследование мощных лазерных диодов спектрального диапазона 960 – 980 нм на основе InGaAs/AlGaAs/GaAs

By | 15.09.2024

A. V. Fomin, E. V. Ershov, S. A. Kryukov

  • Russian Federal Nuclear Center E. I. Zababakhin All-Russian Scientific Research Institute of Technical Physics, Snezhinsk