В. С. Головин, И. С. Шашкин, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, П. С. Копьёв
- Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, г. С.-Петербург
Аннотация: При помощи численного решения одномерных (1D) скоростных уравнений проанализирован эффект выгорания продольного пространственного провала (LSHB) в мощных полупроводниковых лазерах. Расчёты проводились для лазеров на основе GaAs, работающих на длине волны 1.06 мкм. Показано, что уменьшение выходной мощности в результате LSHB вызвано двумя процессами – увеличением спонтанной рекомбинации и падением дифференциальной эффективности, что эквивалентно росту внутренних оптических потерь. Проанализировано влияние различных параметров лазерного чипа на величину провала. В частности, показано, что для уменьшения LSHB предпочтительно увеличивать коэффициент оптического ограничения Γ. Оценена взаимосвязь LSHB с другими механизмами уменьшения выходной мощности.
Ключевые слова: полупроводниковый лазер, выгорание продольного пространственного провала, скоростные уравнения, внутренние оптические потери, численный анализ
Поступила в редакцию: 01.10.2019
Образец цитирования: В. С. Головин, И. С. Шашкин, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, П. С. Копьёв, “Выгорание продольного пространственного провала (LSHB) в мощных полупроводниковых лазерах: численный анализ”, Квантовая электроника, 50:2 (2020), 147–152 [Quantum Electron., 50:2 (2020), 147–152]