Мощный источник спектрально-узкополосного излучения на основе интегрированных лазерных диодов с внешним резонатором

By | 17.11.2022

В. А. Панарин, Г. Т. Микаелян, И. В. Галушка, Н. Н. Беглецова, И. А. Зимин, А. Е. Дракин, Н. В. Дьячков, Т. И. Гущик, А. П. Богатов

Аннотация: Продемонстрирована интеграция 24-х лазерных диодов с внешним резонатором в один спектрально-узкополосный излучатель с длиной волны вблизи 779 нм, суммарной мощностью свыше 35 Вт и шириной спектра не более 0.1 нм. Использование в излучателе объемной фазовой решетки в качестве спектрально-селективного элемента позволяет сузить ширину спектра до 0.02 нм и менее.
Ключевые слова: диодная накачка, узкий спектр, внешний резонатор, фазовая решетка.
Поступила в редакцию: 04.07.2022
Образец цитирования: В. А. Панарин, Г. Т. Микаелян, И. В. Галушка, Н. Н. Беглецова, И. А. Зимин, А. Е. Дракин, Н. В. Дьячков, Т. И. Гущик, А. П. Богатов, “Мощный источник спектрально-узкополосного излучения на основе интегрированных лазерных диодов с внешним резонатором”, Квантовая электроника, 52:9 (2022), 789–793