М. Р. Бутаев, В. И. Козловский, Я. К. Скасырский
- Физический институт им. П. Н. Лебедева, г. Москва
- Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”, г. Москва
Аннотация: Исследован полупроводниковый дисковый лазер c оптической накачкой на основе гетероструктуры, содержащей десять сдвоенных квантовых ям CdS/ZnSe с разрывами зон второго типа. Структура выращена методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений (ГФЭМОС) на подложке GaAs. При комнатной температуре и продольной накачке излучением импульсно-периодического N2-лазера достигнута пиковая мощность излучения полупроводникового дискового лазера 0.75 Вт на длине волны 496.5 нм при длительности импульса 3 нс и частоте следования 100 Гц. Дифференциальная эффективность дискового лазера составила 2.7%. При длине резонатора лазера 1.1 мм полный угол расходимости излучения изменялся от 5 мрад вблизи порога генерации до 15 мрад при максимальной мощности накачки.
Ключевые слова: ГФЭМОС, полупроводниковый дисковый лазер, CdS/ZnSe-гетероструктура, квантовые ямы, оптическая накачка.
Поступила в редакцию: 22.06.2020
Образец цитирования: М. Р. Бутаев, В. И. Козловский, Я. К. Скасырский, “Наносекундный полупроводниковый дисковый лазер с длиной волны излучения 496.5 нм”, Квантовая электроника, 50:10 (2020), 895–899 [Quantum Electron., 50:10 (2020), 895–899]