Н. С. Утков, А. Е. Дракин, Г. Т. Микаелян
- ООО “Лассард”, г.Обнинск, Московская обл.
- Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
- ООО “НПП Инжект”, Россия, Саратов
Аннотация: Описан метод определения допустимой толщины слоя титана для пассивирования излучающих граней диодного лазера. Пассивация реактивным металлом легко встраиваема в процесс производства диодных лазеров. В качестве реактивного металла выбран титан, поскольку он служит адгезионным слоем омических контактов полупроводниковых структур. Показано, как при уменьшении слоя осаждённого титана от 4.3 до 0.7 нм кривая вольт-амперной характеристики диодного лазера стремится к той форме, которая была до осаждения покрытия.
Ключевые слова: диодный лазер, пассивация титаном.
Поступила в редакцию: 30.05.2022
Образец цитирования: Н. С. Утков, А. Е. Дракин, Г. Т. Микаелян, “Влияние толщины пассивирующего реактивного титанового слоя зеркальных граней на электрические характеристики диодных лазеров”, Квантовая электроника, 52:8 (2022), 728–730
Скачать (pdf)