Author Archives: admin_q

Термооптические параметры кристалла калия титанил фосфата

С. Г. Гречин, П. Я. Дружинин, Д. Г. Кочиев Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва Универитет ИТМО, г. С.-Петербург Аннотация: Представлены результаты сравнительного анализа термооптических параметров кристалла калия титанил фосфата (КТР). Продемонстрирована ограниченная применимость некоторых используемых выражений для температурных производных главных значений показателей преломления. Для повышения точности определения этих параметров предложено учитывать… Read More »

Моделирование взаимодействия поляризованного лазерного излучения с листьями растений

Ю. Н. Кульчин, А. А. Сергеев, Ю. А. Зинин, Д. О. Гольцова, С. О. Кожанов, Е. П. Субботин Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения РАН, г. Владивосток Дальневосточный федеральный университет, г. Владивосток Аннотация: Предложена оптическая модель для описания особенностей взаимодействия поляризованного лазерного излучения с листьями растений. Показано, что эпидермальный слой листьев растений обладает оптической… Read More »

Оптическое детектирование ансамбля С-центров в алмазе и когерентное управление им с помощью ансамбля NV-центров

О. Р. Рубинас, В. В. Сошенко, С. В. Большедворский, И. С. Кожокару, А. И. Зеленеев, В. В. Воробьев, В. Н. Сорокин, В. Г. Винс, А. Н. Смолянинов, А. В. Акимов Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет), Московская облаcть, г. Долгопрудный Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва Российский квантовый центр, Москва, Сколково ООО… Read More »

Об уязвимостях квантовой криптографии на геометрически однородных когерентных состояниях

Д. А. Кронберг Математический институт им. В.А. Стеклова РАН, г. Москва Аннотация: Показано, что протокол квантовой криптографии на геометрически однородных когерентных состояниях, использующий ограничение на безошибочное различение набора симметричных когерентных состояний и позволяющий противодействовать атаке с безошибочным различением состояний (USD-атака), не является стойким к ряду других атак. Приведено сравнение формулы длины ключа из работы С.Н.… Read More »

Рекуррентный метод решения обратной задачи статистики фотоотсчетов

П. П. Гостев, С. А. Магницкий, А. С. Чиркин Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет Аннотация: Предложен аналитический рекуррентный метод решения обратной задачи статистики фотоотсчетов, т. е. восстановления распределения фотонов по распределению фотоотсчетов, для малофотонного света. Показано, что если поставить в соответствие обратной задаче систему линейных уравнений, то для финитных распределений можно получить… Read More »

Расщепление энергетического спектра непрямого экситона при туннелировании электрона между наночастицами

В. П. Дзюба, А. В. Амосов, Ю. Н. Кульчин Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, г. Владивосток Аннотация: Проведено аналитическое исследование расщепления энергетического спектра электрона для квазидвумерного непрямого экситона (Q2D-IX), локализованного на границе раздела “диэлектрическая наночастица – диэлектрическая среда”. Расщепление вызвано туннелированием электронов через потенциальный барьер, разделяющий соседние наночастицы. Полученные выражения определяют энергетические и… Read More »

О возможности безынверсного усиления и генерации излучения двухуровневой системой в «красном» крыле ее спектральной линии при резонансной диодной накачке

А. И. Пархоменко, А. М. Шалагин Институт автоматики и электрометрии СО РАН, г. Новосибирск Аннотация: Теоретически исследована возможность усиления и генерации излучения двухуровневой системой без инверсии населенностей в “красном” крыле ее спектральной линии при резонансной диодной накачке. Двухуровневой системой моделируются атомы активного газа, при этом он находится в атмосфере буферного газа высокого давления. Эффект обусловлен… Read More »

Мощные полупроводниковые гибридные импульсные лазерные излучатели в диапазоне длин волн 900–920 нм

Т. А. Багаев, Н. В. Гультиков, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Ю. В. Курнявко, В. В. Кричевский, А. М. Морозюк, В. П. Коняев, В. А. Симаков, С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, Н. А. Пихтин, А. Е. Казакова, Д. Н. Романович, В. А. Крючков АО «НИИ “Полюс” им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва Российский… Read More »

Мощные полупроводниковые AlGaInAs/InP-лазеры спектрального диапазона 1.9–2.0 мкм со сверхузким волноводом

В. Н. Светогоров, Ю. Л. Рябоштан, Н. А. Волков, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, К. В. Бахвалов, Д. А. Веселов, А. В. Лютецкий, В. А. Стрелец, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин Аннотация: Созданы мощные полупроводниковые лазеры на основе гетероструктур AlGaInAs/InP, излучающие в спектральном диапазоне 1.9–2.0 мкм. Компенсация упругих напряжений в… Read More »

Полупроводниковые лазеры InGaAs/AlGaAs/GaAs (λ = 900–920 нм) с расширенным асимметричным волноводом и улучшенной вольт-амперной характеристикой

Н. А. Волков, Т. А. Багаев, Д. Р. Сабитов, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, А. А. Падалица, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, К. В. Бахвалов, Д. А. Веселов, А. В. Лютецкий, Н. А. Рудова, В. А. Стрелец, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин ООО “Сигм Плюс”, г. Москва Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”,… Read More »