Author Archives: admin_q

Широкополосное излучение поликристаллического графита

С.Ш. Рехвиашвили, Д. С. Гаев, З. Ч. Маргушев Институт прикладной математики и автоматизации КБНЦ РАН, Россия, Кабардино-Балкарская Республика, Нальчик Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М.Бербекова, Россия, Кабардино-Балкарская Республика, Нальчик Институт информатики и проблем регионального управления КБНЦ РАН, Россия, Кабардино-Балкарская Республика, Нальчик Аннотация: Проведены исследования спектров видимого излучения поликристаллического графита при электрическом и лазерном способах возбуждения. Показано,… Read More »

Эффективное двухстадийное лазерное обогащение изотопа углерод-13 до 99% методом ИК многофотонной диссоциации молекул фреонов

В. Б. Лаптев, С. В. Пигульский Институт спектроскопии РАН, Москва, г. Троицк Аннотация: Рассмотрен новый способ лазерного двухступенчатого обогащения углерода-13 (13C) методом изотопически селективной ИК многофотонной диссоциации молекул фреонов, который позволяет с высокой производительностью достигать концентрации 13С 99% и более. На первой ступени в результате селективной диссоциации молекул CF2HCl (фреон-22) предполагается получать продукт диссоциации C2F4,… Read More »

Эффект Аутлера–Таунса, частота Раби и определение характеристик распада возбужденных состояний в схеме фотоионизации лютеция

А. Б. Дьячков, А. А. Горкунов, А. В. Лабозин, С. М. Миронов, В. А. Фирсов, Г. О. Цветков, В. Я. Панченко Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”, г. Москва Аннотация: Проведено исследование расщепления первого и второго переходов в схеме фотоионизации лютеция 5d6s2 2D3/2 – 5d6s6p4Fo5/2 – 5d6s7s4D3/2 – (53375 см-1)o1/2 в широком диапазоне интенсивностей лазерного излучения,… Read More »

Полупроводниковый дисковый лазер с длиной волны излучения 780 нм на гетероструктуре AlxGa1– xAs/AlyGa1– yAs, выращенной методом MOCVD, с оптической накачкой и накачкой электронным пучком

М. Р. Бутаев, Я. К. Скасырский, В. И. Козловский, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, А. А. Мармалюк Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”, г. Москва АО “НИИ “Полюс” им. М.Ф.Стельмаха”, Москва, Россия Аннотация: Исследован импульсный полупроводниковый дисковый лазер на структуре AlxGa1–xAs/AlyGa1–yAs с резонанснопериодическим усилением… Read More »

Полупроводниковый лазер на основе гетероструктуры CdS/ZnSe с продольной оптической накачкой излучением лазерного диода

М. Р. Бутаев, В. И. Козловский, Я. К. Скасырский Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”, г. Москва Аннотация: Исследован полупроводниковый лазер c оптической накачкой на основе гетероструктуры CdS/ZnSe, содержащей 10 сдвоенных квантовых ям. Структура выращена методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на подложке GaAs. На… Read More »

Лазерная генерация в ИК диапазоне на атомарных переходах цезия и рубидия при накачке на высоколежащие уровни

А. А. Бабин, М. В. Волков, С. Г. Гаранин, С. А. Ковалдов, А. В. Копалкин, Ф. А. Стариков, А. В. Страхов, В. В. Феоктистов ФГУП “Российский федеральный ядерный центр – ВНИИЭФ”, г. Саров Нижегородской обл. Аннотация: При накачке на высоколежащие уровни получена лазерная генерация на атомах цезия и рубидия с длинами волн в диапазоне 2… Read More »

Анализ ватт-амперных характеристик мощных полупроводниковых лазеров (1060 нм) в рамках стационарной двумерной модели

С. О. Слипченко, В. С. Головин, О. С. Соболева, И. А. Ламкин, Н. А. Пихтин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина) Аннотация: Представлена двумерная модель мощного полупроводникового лазера, учитывающая транспорт носителей заряда перпендикулярно слоям гетероструктуры и эффект продольного пространственного выжигания носителей… Read More »

Квазинепрерывные мощные полупроводниковые лазеры (1060 нм) со сверхширокой излучающей апертурой

С. О. Слипченко, Д. Н. Романович, В. А. Капитонов, К. В. Бахвалов, Н. А. Пихтин, П. С. Копьев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург Аннотация: Разработаны мощные квазинепрерывные полупроводниковые лазеры с шириной излучающей апертуры 800 мкм и сплошным р-контактом. Продемонстрирована генерация лазерных импульсов длительностью 1 мс с частотой следования 10 Гц… Read More »

Многопроходный дисковый Yb : KGW-усилитель

А. К. Потемкин, М. А. Мартьянов, С. Ю. Миронов Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, г. Нижний Новгород Аннотация: Исследован многопроходный дисковый Yb: KGW- усилитель, собранный на основе ячейки Уайта и накачиваемый лазерным диодом с волоконным выходом. Показано, что трехзеркальный вариант ячейки в три раза эффективнее четырехзеркального, поскольку размер и положение пучка… Read More »

Формирование пространственной структуры излучения накачки в фокальной плоскости линзы при разных типах вынужденного рассеяния света

А. А. Гордеев, В. Ф. Ефимков, И. Г. Зубарев Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва Аннотация: Воспроизведены эксперименты ранней работы авторов по исследованию вынужденного температурного рассеяния второй гармоники излучения неодимового лазера в толуоле с целью подтверждения высказанной в ней гипотезы о природе распада структуры лазерного пучка в фокальной плоскости короткофокусной… Read More »