Author Archives: admin_q

Применение свойств PT-симметрии для повышения предельной чувствительности оптических резонаторных гироскопов

Е. В. Шалымов, Т. М. Ахмадиев, В. Б. Давыдов Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина) Аннотация: Предложено и описано использование системы со свойствами PT-симметрии в оптических резонаторных гироскопах. Продемонстрировано, что это позволяет повысить предельную чувствительность и не вносит недостатков, характерных для PT-симметричных лазерных гироскопов. В рассмотренном в статье примере включение системы… Read More »

О модели формирования комплексных коэффициентов связи в кольцевом резонаторе лазерного гироскопа

Е. А. Петрухин, А. С. Бессонов АО “Серпуховский завод “Металлист” МИРЭА — Российский технологический университет, г. Москва Аннотация: Представлена модель интерференции полей точечных источников обратного рассеяния в кольцевом оптическом резонаторе. Приведены примеры расчетов комплексных коэффициентов связи в кольцевых резонаторах лазерных гироскопов. Сравнение результатов расчетов с результатами модельных экспериментов показало хорошее согласие и позволило определить диссипативные… Read More »

Сравнение полевых сдвигов в атомных часах на основе эффекта когерентного пленения населенностей в атомах 87Rb при модуляции тока накачки лазера на частотах 3.4 и 6.8 ГГц

С. М. Игнатович, М. Н. Скворцов, И. С. Месензова, Н. Л. Квашнин, В. И. Вишняков, Д. В. Бражников, С. Н. Багаев Институт лазерной физики СО РАН, г. Новосибирск Аннотация: Представлены результаты экспериментального сравнения параметров резонанса когерентного пленения населенностей (КПН) для линии D1 в 87Rb и световых сдвигов при модуляции тока накачки лазера на частотах 3.4… Read More »

Широкополосное излучение поликристаллического графита

С.Ш. Рехвиашвили, Д. С. Гаев, З. Ч. Маргушев Институт прикладной математики и автоматизации КБНЦ РАН, Россия, Кабардино-Балкарская Республика, Нальчик Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М.Бербекова, Россия, Кабардино-Балкарская Республика, Нальчик Институт информатики и проблем регионального управления КБНЦ РАН, Россия, Кабардино-Балкарская Республика, Нальчик Аннотация: Проведены исследования спектров видимого излучения поликристаллического графита при электрическом и лазерном способах возбуждения. Показано,… Read More »

Эффективное двухстадийное лазерное обогащение изотопа углерод-13 до 99% методом ИК многофотонной диссоциации молекул фреонов

В. Б. Лаптев, С. В. Пигульский Институт спектроскопии РАН, Москва, г. Троицк Аннотация: Рассмотрен новый способ лазерного двухступенчатого обогащения углерода-13 (13C) методом изотопически селективной ИК многофотонной диссоциации молекул фреонов, который позволяет с высокой производительностью достигать концентрации 13С 99% и более. На первой ступени в результате селективной диссоциации молекул CF2HCl (фреон-22) предполагается получать продукт диссоциации C2F4,… Read More »

Эффект Аутлера–Таунса, частота Раби и определение характеристик распада возбужденных состояний в схеме фотоионизации лютеция

А. Б. Дьячков, А. А. Горкунов, А. В. Лабозин, С. М. Миронов, В. А. Фирсов, Г. О. Цветков, В. Я. Панченко Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”, г. Москва Аннотация: Проведено исследование расщепления первого и второго переходов в схеме фотоионизации лютеция 5d6s2 2D3/2 – 5d6s6p4Fo5/2 – 5d6s7s4D3/2 – (53375 см-1)o1/2 в широком диапазоне интенсивностей лазерного излучения,… Read More »

Полупроводниковый дисковый лазер с длиной волны излучения 780 нм на гетероструктуре AlxGa1– xAs/AlyGa1– yAs, выращенной методом MOCVD, с оптической накачкой и накачкой электронным пучком

М. Р. Бутаев, Я. К. Скасырский, В. И. Козловский, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, А. А. Мармалюк Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”, г. Москва АО “НИИ “Полюс” им. М.Ф.Стельмаха”, Москва, Россия Аннотация: Исследован импульсный полупроводниковый дисковый лазер на структуре AlxGa1–xAs/AlyGa1–yAs с резонанснопериодическим усилением… Read More »

Полупроводниковый лазер на основе гетероструктуры CdS/ZnSe с продольной оптической накачкой излучением лазерного диода

М. Р. Бутаев, В. И. Козловский, Я. К. Скасырский Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”, г. Москва Аннотация: Исследован полупроводниковый лазер c оптической накачкой на основе гетероструктуры CdS/ZnSe, содержащей 10 сдвоенных квантовых ям. Структура выращена методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на подложке GaAs. На… Read More »

Лазерная генерация в ИК диапазоне на атомарных переходах цезия и рубидия при накачке на высоколежащие уровни

А. А. Бабин, М. В. Волков, С. Г. Гаранин, С. А. Ковалдов, А. В. Копалкин, Ф. А. Стариков, А. В. Страхов, В. В. Феоктистов ФГУП “Российский федеральный ядерный центр – ВНИИЭФ”, г. Саров Нижегородской обл. Аннотация: При накачке на высоколежащие уровни получена лазерная генерация на атомах цезия и рубидия с длинами волн в диапазоне 2… Read More »

Анализ ватт-амперных характеристик мощных полупроводниковых лазеров (1060 нм) в рамках стационарной двумерной модели

С. О. Слипченко, В. С. Головин, О. С. Соболева, И. А. Ламкин, Н. А. Пихтин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина) Аннотация: Представлена двумерная модель мощного полупроводникового лазера, учитывающая транспорт носителей заряда перпендикулярно слоям гетероструктуры и эффект продольного пространственного выжигания носителей… Read More »