Подборка работ, доложенных на Симпозиуме «Полупроводниковые лазеры: физика и технология» Полупроводниковые лазеры на основе AlGaInAs/InP с повышенным электронным барьером А. А. Мармалюк, А. В. Иванов, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, М. А. Ладугин, А. В. Лобинцов, А. А. Падалица, В. И. Романцевич, Ю. Л. Рябоштан, С. М. Сапожников, В. Н. Светогоров, В. А. Симаков… Read More »
В. И. Яковлев, В. Б. Шулятьев, М. А. Ядренкин, Т. А. Гимон Институт теоретической и прикладной механики им. С.А.Христиановича СО РАН, Россия, 630090 Новосибирск, Институтская ул., 4/1; e-mail: yakovlvi@itam.nsc.ru Аннотация: В экспериментах с использованием импульсно-периодической мощности СО2-лазера с непрерывной накачкой и модуляцией добротности (CPQS) определена динамика свечения оптического разряда в дозвуковом потоке аргона. Впервые выявлены… Read More »
А. Т. Саакян, С. Н. Андреев, А. А. Кологривов, Т. Т. Кондратенко, В. Н. Пузырёв, А. Н. Стародуб, И. Ю. Толстихина, А. А. Фроня, О. Ф. Якушев Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва Аннотация: Приведены результаты экспериментального исследования спектров мягкого рентгеновского излучения (МРИ) и экстремального ультрафиолетового излучения лазерной плазмы, создаваемой при воздействии… Read More »