Category Archives: Лазеры

Экспериментальное исследование полностью оптоволоконного усилителя мощностью 100 Вт, работающего вблизи 980 нм

М. Чен, Х. Ду, Дж. Цао, А. Лю, Чж. Пан, Чж. Хуанг, Цз. Чен College of Advanced Interdisciplinary Studies, National University of Defense Technology, China State Key Laboratory of Pulsed Power Laser Technology, Changsha, China Hunan Provincial Key Laboratory of High Energy Laser Technology, Changsha, China Аннотация: Продемонстрирован полностью волоконный усилитель мощностью 100 Вт с… Read More »

Увеличение диапазона токов накачки одночастотного лазерного диода с частотой излучения, настроенной на линию D2 цезия

О. О. Багаева, А. В. Иванов, В. Н. Дроздовский, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, В. И. Романцевич, В. А. Симаков, Р. В. Чернов АО «НИИ “Полюс” им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва Аннотация: Экспериментально и теоретически показано, что при увеличении тока накачки лазерного диода и при одновременном уменьшении его температуры можно на порядок увеличить… Read More »

Твердотельный органический лазер с диапазоном перестройки длины волны излучения 78 нм

Е. Н. Тельминов, А. Х. Якуб, Т. А. Солодова, Е. Н. Никонова, Т. Н. Копылова Томский государственный университет Аннотация: Приведены результаты исследований генерационных характеристик органического твердотельного перестраиваемого лазера с матрицей из полиметилметакрилата, допированой красителями Хромен 3, Пиррометен 567 и Пиррометен 597. Отмечены особенности генерации при использовании селективного и неселективного резонаторов. Получена перестройка длины волны генерации… Read More »

Улучшение параметров вольт-амперной характеристики полупроводниковых лазеров InGaAs/AlGaAs/GaAs (λ = 940–980 нм) с расширенным асимметричным волноводом

Н. А. Волков, К. Ю. Телегин, Н. В. Гультиков, Д. Р. Сабитов, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, А. А. Падалица, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Л. И. Шестак, А. А. Козырев, В. А. Панарин ООО “Сигм Плюс”, г. Москва Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”, г. Москва ФГУП Научно-производственное предприятие “Инжект”, г. Саратов Аннотация:… Read More »

Мощные импульсные полупроводниковые лазеры (910 нм) мезаполосковой конструкции со сверхширокой излучающей апертурой на основе туннельно-связанных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs

С. О. Слипченко, Д. Н. Романович, П. С. Гаврина, Д. А. Веселов, Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Н. А. Пихти Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург Научно-исследовательский институт “Полюс” им. М. Ф. Стельмаха, г. Москва Аннотация: Исследованы характеристики мощных полупроводниковых лазеров с шириной излучающей апертуры 800 мкм,… Read More »

Вертикальные стеки мощных импульсных (100 нc) полупроводниковых лазеров киловаттного уровня пиковой мощности на основе мезаполосковых волноводов со сверхширокой (800 мкм) апертурой на длине волны 1060 нм

С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, Д. А. Веселов, Л. С. Ефремов, В. В. Золотарев, А. Е. Казакова, П. С. Копьев, Н. А. Пихтин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург Аннотация: Разработан генерирующий в спектральной области 1060 нм импульсный источник излучения с пиковой выходной оптической мощностью киловаттного уровня на основе вертикального… Read More »

Полупроводниковый дисковый лазер с длиной волны излучения 780 нм на гетероструктуре AlxGa1– xAs/AlyGa1– yAs, выращенной методом MOCVD, с оптической накачкой и накачкой электронным пучком

М. Р. Бутаев, Я. К. Скасырский, В. И. Козловский, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, А. А. Мармалюк Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”, г. Москва АО “НИИ “Полюс” им. М.Ф.Стельмаха”, Москва, Россия Аннотация: Исследован импульсный полупроводниковый дисковый лазер на структуре AlxGa1–xAs/AlyGa1–yAs с резонанснопериодическим усилением… Read More »

Полупроводниковый лазер на основе гетероструктуры CdS/ZnSe с продольной оптической накачкой излучением лазерного диода

М. Р. Бутаев, В. И. Козловский, Я. К. Скасырский Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”, г. Москва Аннотация: Исследован полупроводниковый лазер c оптической накачкой на основе гетероструктуры CdS/ZnSe, содержащей 10 сдвоенных квантовых ям. Структура выращена методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на подложке GaAs. На… Read More »

Лазерная генерация в ИК диапазоне на атомарных переходах цезия и рубидия при накачке на высоколежащие уровни

А. А. Бабин, М. В. Волков, С. Г. Гаранин, С. А. Ковалдов, А. В. Копалкин, Ф. А. Стариков, А. В. Страхов, В. В. Феоктистов ФГУП “Российский федеральный ядерный центр – ВНИИЭФ”, г. Саров Нижегородской обл. Аннотация: При накачке на высоколежащие уровни получена лазерная генерация на атомах цезия и рубидия с длинами волн в диапазоне 2… Read More »

Анализ ватт-амперных характеристик мощных полупроводниковых лазеров (1060 нм) в рамках стационарной двумерной модели

С. О. Слипченко, В. С. Головин, О. С. Соболева, И. А. Ламкин, Н. А. Пихтин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина) Аннотация: Представлена двумерная модель мощного полупроводникового лазера, учитывающая транспорт носителей заряда перпендикулярно слоям гетероструктуры и эффект продольного пространственного выжигания носителей… Read More »