Category Archives: Лазеры

Параметрическое усиление в световодах с изменяющейся по длине дисперсией

Ю. А. Мажирина, Л. А. Мельников, А. А. Сысолятин, А. И. Конюхов, К. С. Гочелашвили, Д. Венкитеш, С. Саркар Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю.А. Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского Department of Electrical Engineering Indian Institute of Technology Madras Аннотация: Исследована… Read More »

Система оптоволоконного сглаживания лазерного излучения на установке «Луч»

Д. В. Сизмин, В. Н. Пугачёва, К. В. Стародубцев, Л. А. Душина, О. И. Горчаков, В. Н. Деркач, И. Н. Воронич Российский федеральный ядерный центр — ВНИИЭФ, г. Саров Нижегородской обл. Аннотация: На лазерной установке “Луч” создана система формирования опорного излучения с пространственно-временным сглаживанием, основанная на использовании многомодового оптического волокна. Система состоит из широкополосного задающего… Read More »

Пассивный метод сглаживания лазерного излучения с помощью спектральной дисперсии

Д. В. Сизмин, В. Н. Пугачёва, К. В. Стародубцев, Л. А. Душина, О. И. Горчаков, В. Н. Деркач, И. Н. Воронич Российский федеральный ядерный центр — ВНИИЭФ, г. Саров Нижегородской обл. Аннотация: Предложен новый вариант метода пространственно-временного сглаживания лазерного излучения с помощью спектральной дисперсии, не требующий использования высокочастотных фазовых модуляторов, – метод с применением широкополосного… Read More »

Лазерное усиление в активном зеркале из Yb : YAG с большим градиентом температур

Г. В. Купцов, В. А. Петров, В. В. Петров, А. В. Лаптев, А. О. Коновалова, А. В. Кирпичников, Е. В. Пестряков Институт лазерной физики СО РАН, г. Новосибирск Новосибирский государственный технический университет Новосибирский национальный исследовательский государственный университет Аннотация: Рассмотрена нестационарная модель лазерного усиления в кристалле Yb : YAG, основанная на системе балансных уравнений, а также… Read More »

Формирование волновода в кристалле LiF световой пулей среднего ИК диапазона

А. В. Кузнецов, А. Е. Дормидонов, В. О. Компанец, С. В. Чекалин, В. П. Кандидов Иркутский филиал института лазерной физики СО РАН Институт спектроскопии РАН, г. Москва, г. Троицк Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет Аннотация: Экспериментально и численно исследована динамика возникновения микромодификаций в кристалле LiF при филаментации фемтосекундного излучения среднего ИК диапазона… Read More »

Мощные полупроводниковые гибридные импульсные лазерные излучатели в диапазоне длин волн 900–920 нм

Т. А. Багаев, Н. В. Гультиков, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Ю. В. Курнявко, В. В. Кричевский, А. М. Морозюк, В. П. Коняев, В. А. Симаков, С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, Н. А. Пихтин, А. Е. Казакова, Д. Н. Романович, В. А. Крючков АО «НИИ “Полюс” им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва Российский… Read More »

Мощные полупроводниковые AlGaInAs/InP-лазеры спектрального диапазона 1.9–2.0 мкм со сверхузким волноводом

В. Н. Светогоров, Ю. Л. Рябоштан, Н. А. Волков, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, К. В. Бахвалов, Д. А. Веселов, А. В. Лютецкий, В. А. Стрелец, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин Аннотация: Созданы мощные полупроводниковые лазеры на основе гетероструктур AlGaInAs/InP, излучающие в спектральном диапазоне 1.9–2.0 мкм. Компенсация упругих напряжений в… Read More »

Полупроводниковые лазеры InGaAs/AlGaAs/GaAs (λ = 900–920 нм) с расширенным асимметричным волноводом и улучшенной вольт-амперной характеристикой

Н. А. Волков, Т. А. Багаев, Д. Р. Сабитов, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, А. А. Падалица, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, К. В. Бахвалов, Д. А. Веселов, А. В. Лютецкий, Н. А. Рудова, В. А. Стрелец, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин ООО “Сигм Плюс”, г. Москва Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”,… Read More »

Оптическое поглощение в волноводе AlGaAs-гетероструктуры n-типа

Ю. К. Бобрецова, Д. А. Веселов, А. А. Климов, К. В. Бахвалов, В. В. Шамахов, С. О. Слипченко, В. В. Андрюшкин, Н. А. Пихтин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, г. Санкт-Петербург Национальный исследовательский университет ИТМО, г. С.-Петербург Аннотация: Методом ввода зондирующего излучения экспериментально исследовано поглощение оптического излучения на свободных носителях заряда в слоях AlGaAs/GaAs-гетероструктуры… Read More »

Повышение выходной мощности излучения с длиной волны около 1650 нм методом двухполяризационного рамановского усиления

В. И. Григорьевский, Я. А. Тезадов Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН Аннотация: Проведено сравнение нелинейных искажений выходного излучения рамановского усилителя при усилении излучений с одной и с двумя ортогональными поляризациями (одно- и двухполяризационном усилении) в протяженном оптическом волокне. При выходной мощности 3.5 Вт на длине волны 1650 нм нелинейные… Read More »