2010, том 40, номер 8
Письма О фотоакустическом мониторинге движения фронта лазерного испарения А. А. Самохин, Н. Н. Ильичев 659–660 Обзор Мощные полупроводниковые лазеры на основе гетероструктур раздельного ограничения И. С. Тарасов 661–681 Лазеры Линейки лазерных диодов с длиной волны излучения λ=808 нм на основе двойных эпитаксиально-интегрированых гетероструктур Е. И. Давыдова, В. П. Коняев, М. А. Ладугин, Е. И. Лебедева,… Read More »