В. Н. Светогоров, Ю. Л. Рябоштан, Н. А. Волков, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, К. В. Бахвалов, Д. А. Веселов, А. В. Лютецкий, В. А. Стрелец, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин
Аннотация: Созданы мощные полупроводниковые лазеры на основе гетероструктур AlGaInAs/InP, излучающие в спектральном диапазоне 1.9–2.0 мкм. Компенсация упругих напряжений в активной области позволила использовать квантовые ямы InGaAs с напряжением сжатия около 2.0% – 2.5%. Исследована работа лазера со сверхузким волноводом при увеличении длины волны излучения от 1.4–1.6 до 2.0 мкм. Полупроводниковые лазеры с полосковым контактом шириной 100 мкм продемонстрировали выходную оптическую мощность 1.0 Вт в непрерывном режиме работы при комнатной температуре при токе накачки 6.5 А на длине волны 1.91 мкм и 7.2 А на длине волны 1.98 мкм.
Ключевые слова: полупроводниковый лазер, гетероструктура, AlGaInAs/InP, сверхузкий волновод, 2-мкм спектральная область
Поступила в редакцию: 29.07.2021
Образец цитирования: В. Н. Светогоров, Ю. Л. Рябоштан, Н. А. Волков, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, К. В. Бахвалов, Д. А. Веселов, А. В. Лютецкий, В. А. Стрелец, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, “Мощные полупроводниковые AlGaInAs/InP-лазеры спектрального диапазона 1.9–2.0 мкм со сверхузким волноводом”, Квантовая электроника, 51:10 (2021), 909–911 [Quantum Electron., 51:10 (2021), 909–911]
Скачать (.pdf)