Оптическое поглощение в волноводе AlGaAs-гетероструктуры n-типа

Аннотация: Методом ввода зондирующего излучения экспериментально исследовано поглощение оптического излучения на свободных носителях заряда в слоях AlGaAs/GaAs-гетероструктуры с целью определения параметра сечения поглощения в материале AlGaAs с высоким (22%) содержанием алюминия. Для исследований были изготовлены специальные образцы на основе AlGaAs/GaAs-гетероструктур, имитирующих лазерный волновод с легированием n-типа и концентрацией носителей заряда в диапазоне 5 × 10¹⁶ – 3 × 10¹⁷см^-3. Измерены профиль легирования, состав и толщины слоев, а также исследованы температурная и спектральная зависимости коэффициента поглощения. Показано, что увеличение температуры и длины волны приводят к росту поглощения в слоях гетероструктуры.

Ключевые слова: полупроводниковый лазер, полупроводниковая гетероструктура, оптическое поглощение на свободных носителях, сечение поглощения.