Оптимизация параметров резонатора мощных полупроводниковых лазеров InGaAs/AlGaAs/GaAs (λ = 1060 нм) для эффективной работы при сверхвысоких импульсных токах накачки

Аннотация: На основе разработанной численной 2D модели полупроводниковых лазеров исследовано влияние характеристик резонатора на потери, а также проанализирован выбор параметров резонатора для эффективной работы лазера при сверхвысоких токах накачки. Показано, что при фиксированной амплитуде тока накачки максимальная излучаемая мощность достигается для комбинации оптимальных параметров резонатора – длины резонатора L_opt и коэффициента отражения выходного зеркала R_{AR opt}. Установлено, что возможность увеличения мощности за счет снижения коэффициента R_AR ограничена из-за формирования локальной области высоких оптических потерь и токов рекомбинационных потерь у грани резонатора с большим коэффициентом отражения.

Ключевые слова: модель полупроводникового лазера, скоростные уравнения, транспорт носителей заряда, пространственное выжигание дырок, пространственное выжигание тока, лазерный диод, полупроводниковые лазеры высокой мощности, дрейф-диффузионный транспорт.