Скачать (.pdf)
Мощные лазерные диоды на основе InGaAs(Р)/Al(In)GaAs(P)/GaAs-гетероструктур с низкими внутренними оптическими потерями
С. О. Слипченко, Д. А. Веселов, В. В. Золотарев, А. В. Лютецкий, А. А. Подоскин, З. Н. Соколова, В. В. Шамахов, И. С. Шашкин, П. С. Копьев, Н. А. Пихтин
- Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Скачать (.pdf)
Адаптивная фазовая коррекция вихревых лазерных пучков в турбулентной атмосфере
П. А. Коняев, В. П. Лукин
- Институт оптики атмосферы им. В.Е.Зуева СО РАН, г. Томск
Исправленный вариант: 19.09.2022
Скачать (.pdf)
Фотопоглощение и диссоциация электронным ударом молекулярных ионов ArXe+ и KrXe+
В.С. Лебедев, К.С. Кислов, А.А. Нариц
- Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
Скачать (.pdf)
Квантово-оптические системы для решения задач космической геодезии и навигации
В. Д. Шаргородский, Ю. А. Рой, А. Л. Соколов, В. Д. Ненадович, А. A. Ковалев, В. Ю. Венедиктов
- Научно-производственная корпорация “Системы прецизионного приборостроения” (НПК “СПП”)
- Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»
Скачать (.pdf)
Жидкие кристаллы в лазерной технике
И. Н. Компанец, Е. П. Пожидаев
- Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
Аннотация: Представлены результаты проведённых в ФИАНе исследований электрооптики нематических и смектических (сегнетоэлектрических) жидких кристаллов и их применений для модуляции амплитуды, фазы или рассеяния лазерного излучения в электрически и оптически управляемых транспарантах (пространственных модуляторах света), в устройствах голографической памяти, в формирователях волновых полей и преобразователях изображений (в том числе трёхмерных), в распознающих, сенсорных и других устройствах лазерной техники.
Ключевые слова: лазерная техника, электрооптика, модуляторы света, жидкие кристаллы.
Поступила в редакцию: 15.09.2022
Исправленный вариант: 24.10.2022
Образец цитирования: И. Н. Компанец, Е. П. Пожидаев, “Жидкие кристаллы в лазерной технике”, Квантовая электроника, 52:12 (2022), 1114–1122
Скачать (.pdf)
Тенденции и перспективы развития волоконно-оптических систем передачи информации
В. А. Конышев, А. В. Леонов, О. Е. Наний, Д. Д. Старых, В. Н. Трещиков, Р. Р. Убайдуллаев
- ООО ”Т8 НТЦ”, Москва, Россия
- Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет
- ООО “Т8”, г. Москва
- Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН
- Центр «Школа IT-менеджмента» института ЭМИТ РАНХиГС, Россия, Москва
Аннотация: Рассмотрены технологии, позволяющие увеличивать пропускную способность волоконно-оптических систем передачи (ВОСП) информации. Потребность в этом обусловлена ростом объемов вновь создаваемой информации, виртуализацией сетевых приложений, развитием облачных сервисов, укрупнением и созданием новых центров обработки данных. Наиболее значительно увеличить емкость ВОСП позволили технология плотного спектрального мультиплексирования (DWDM) и внедрение когерентного детектирования с цифровой обработкой сигналов. Основные направления развития ВОСП – это совершенствование активного оборудования и оптических волоконных линий. Тенденциям развития активного оборудования ВОСП информации и посвящена настоящая статья.
Ключевые слова: DWDM ВОЛС, требуемый OSNR, BER, ASE-шум, нелинейный шум, гауссов шум, nQAM, компенсация хроматической дисперсии.
Поступила в редакцию: 28.09.2022
Образец цитирования: В. А. Конышев, А. В. Леонов, О. Е. Наний, Д. Д. Старых, В. Н. Трещиков, Р. Р. Убайдуллаев, “Тенденции и перспективы развития волоконно-оптических систем передачи информации”, Квантовая электроника, 52:12 (2022), 1102–1113
Скачать (.pdf)
Оптическая и рентгеновская микролитография на рубеже веков
И. А. Артюков
- Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
Аннотация: Представлен обзор развития методов промышленной фотолитографии на основе эксимерных лазеров и проекционной рентгеновской литографии в конце XX века – начале XXI века. Отражён вклад Н.Г.Басова и его коллег в ФИАНе и МИФИ в развитие этого направления.
Ключевые слова: фотолитография, рентгеновская оптика, многослойная рентгеновская оптика, проекционная рентгеновская литография.
Поступила в редакцию: 16.09.2022
Исправленный вариант: 08.12.2022
Образец цитирования: И. А. Артюков, “Оптическая и рентгеновская микролитография на рубеже веков”, Квантовая электроника, 52:12 (2022), 1094–1101
Скачать (.pdf)
Лазерное разделение изотопов углерода мощным ИК лазерным излучением
В. Б. Лаптев, С. В. Пигульский, Е. А. Рябов
- Институт спектроскопии РАН, Москва, г. Троицк
Аннотация: Представлен обзор результатов, полученных в ходе разработки промышленной технологии лазерного разделения изотопов углерода на основе многофотонной диссоциации молекул излучением импульсного СО2-лазера. Приводятся ключевые научные и технические решения, позволившие создать такую технологию. Описывается первая в мире промышленная установка по производству обогащенного изотопа углерода 13С. Рассматривается возможность создания чисто лазерного двухступенчатого процесса получения высокообогащенного (более 99 %) изотопа 1313С.
Ключевые слова: лазерное разделение изотопов углерода, многофотонная диссоциация молекул, разработка промышленной технологии, лазерный двухступенчатый процесс, обогащение изотопа 1313С.
Поступила в редакцию: 12.09.2022
Образец цитирования: В. Б. Лаптев, С. В. Пигульский, Е. А. Рябов, “Лазерное разделение изотопов углерода мощным ИК лазерным излучением”, Квантовая электроника, 52:12 (2022), 1088–1093
Скачать (.pdf)
Полупроводниковые лазеры с улучшенными излучательными характеристиками
А. И. Данилов, А. В. Иванов, В. П. Коняев, Ю. В. Курнявко, М. А. Ладугин, А. В. Лобинцов, А. А. Мармалюк, С. М. Сапожников, В. А. Симаков
- Научно-исследовательский институт “Полюс” им. М. Ф. Стельмаха, г. Москва
Аннотация: Исследованы характеристики полупроводниковых излучателей на основе двойных гетероструктур раздельного ограничения с квантовыми ямами и с различной конфигурацией волноводных слоев. Рассмотрены лазеры с тонким и толстым волноводом применительно к решению задачи повышения выходной мощности. Проведено сравнение полупроводниковых излучателей с нелегированными и легированными волноводными слоями. Рассмотрены лазеры со сверхтонким и утолщенным сильно асимметричным волноводом. Показано, что снижение последовательного и теплового сопротивления уменьшает саморазогрев лазеров и положительно сказывается на повышении выходной мощности и КПД. Продемонстрированы перспективы использования эпитаксиальной интеграции для создания лазеров с несколькими туннельно-связанными излучающими секциями с целью повышения выходной мощности и яркости. Показана возможность создания монолитно-интегрированных лазеров-тиристоров, сочетающих в одном кристалле излучающую секцию и электронный ключ.
Ключевые слова: полупроводниковый лазер, гетероструктура, волновод, легирование, выходная мощность, вольт-амперная характеристика.
Поступила в редакцию: 21.10.2022
Исправленный вариант: 08.12.2022
Образец цитирования: А. И. Данилов, А. В. Иванов, В. П. Коняев, Ю. В. Курнявко, М. А. Ладугин, А. В. Лобинцов, А. А. Мармалюк, С. М. Сапожников, В. А. Симаков, “Полупроводниковые лазеры с улучшенными излучательными характеристиками”, Квантовая электроника, 52:12 (2022), 1079–1087
Скачать (.pdf)