Полупроводниковые лазеры InGaAs/AlGaAs/GaAs (λ = 900–920 нм) с расширенным асимметричным волноводом и улучшенной вольт-амперной характеристикой

Н. А. Волков, Т. А. Багаев, Д. Р. Сабитов, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, А. А. Падалица, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, К. В. Бахвалов, Д. А. Веселов, А. В. Лютецкий, Н. А. Рудова, В. А. Стрелец, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин

ООО “Сигм Плюс”, г. Москва
Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”, г. Москва
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Изучены полупроводниковые лазеры на основе двойных гетероструктур раздельного ограничения InGaAs/AlGaAs/GaAs с расширенным асимметричным волноводом. Проведено сравнение экспериментально полученных образцов лазеров с нелегированными и легированными волноводными слоями. Проанализированы различия их вольт-амперных характеристик. Установлено, что снижение последовательного сопротивления и напряжения отсечки вольт-амперной характеристики позволяет отодвинуть момент начала насыщения выходной оптической мощности и увеличить КПД исследованных полупроводниковых лазеров до 70% – 72%.

Ключевые слова: полупроводниковый лазер, асимметричный волновод, легирование, выходная мощность.

Поступила в редакцию: 22.06.2021

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2021, 51:10, 905–908

Образец цитирования: Н. А. Волков, Т. А. Багаев, Д. Р. Сабитов, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, А. А. Падалица, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, К. В. Бахвалов, Д. А. Веселов, А. В. Лютецкий, Н. А. Рудова, В. А. Стрелец, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, “Полупроводниковые лазеры InGaAs/AlGaAs/GaAs (λ = 900–920 нм) с расширенным асимметричным волноводом и улучшенной вольт-амперной характеристикой”, Квантовая электроника, 51:10 (2021), 905–908 [Quantum Electron., 51:10 (2021), 905–908]

Скачать (.pdf)