В. Н. Светогоров, Ю. Л. Рябоштан, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, Н. А. Волков, А. А. Мармалюк, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин
- ООО “Сигм Плюс”, г. Москва
- Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”, г. Москва
- Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, г. С.-Петербург
Аннотация: Созданы полупроводниковые лазеры на основе гетероструктур AlGaInAs/InP со сверхузким волноводом и повышенным электронным барьером. Показано, что применение такого волновода совместно с профильным легированием обеспечивает баланс между внутренними оптическими потерями и тепловым сопротивлением. Дополнительное использование напряженных слоев с увеличенной шириной запрещенной зоны в качестве блокирующих барьеров, ограничивающих утечку электронов из активной области, позволяет увеличить выходную мощность при том же токе накачки. Созданные лазеры с полосковым контактом шириной 100 мкм продемонстрировали выходную оптическую мощность в непрерывном режиме работы 4.0 – 4.4 Вт (ток накачки 14 А) и в импульсном (100 нс, 1 кГц) режиме 15 – 17 Вт (ток накачки 100 А) при комнатной температуре на длине волны генерации 1450 – 1500 нм.
Ключевые слова: полупроводниковый лазер, гетероструктура, AlGaInAs/InP, узкий волновод, электронный барьер.
Поступила в редакцию: 23.09.2020
Образец цитирования: В. Н. Светогоров, Ю. Л. Рябоштан, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, Н. А. Волков, А. А. Мармалюк, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин, “Полупроводниковые лазеры на основе гетероструктур AlGaInAs/InP со сверхузким волноводом и повышенным электронным барьером”, Квантовая электроника, 50:12 (2020), 1123–1125 [Quantum Electron., 50:12 (2020), 1123–1125]