М. Р. Бутаев, В. И. Козловский, Я. К. Скасырский
- Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва
- Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”, г. Москва
Аннотация: Исследован полупроводниковый лазер c оптической накачкой на основе наноразмерной гетероструктуры CdS/ZnSe, содержащей 10 квантовых ям с разрывами зон второго типа. Структура выращена методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на подложке GaAs. Время жизни электронно-дырочных пар при низком уровне накачки, измеренное по спаду люминесценции, оценивается в ~10 нс. При комнатной температуре и продольной накачке излучением импульсно-периодического N2-лазера достигнута пиковая мощность излучения полупроводникового лазера c микрорезонатором 7.2 Вт на длине волны 514 нм. Относительно низкий (0.35%) КПД лазера объясняется наличием усиленного спонтанного излучения, распространяющегося вдоль структуры. При поперечной накачке пиковая мощность и КПД лазера увеличиваются до 70 Вт и 3.5% .
Ключевые слова: ГФЭМОС, полупроводниковый лазер, CdS/ZnSe-гетероструктура, квантовые ямы, оптическая накачка
Поступила в редакцию: 16.01.2020
Образец цитирования: М. Р. Бутаев, В. И. Козловский, Я. К. Скасырский, “Полупроводниковый лазер с оптической накачкой на основе наноразмерной гетероструктуры CdS/ZnSe с разрывами зон второго типа”, Квантовая электроника, 50:7 (2020), 683–687 [Quantum Electron., 50:7 (2020), 683–687]