Tag Archives: Г. Т. Микаелян

Однородное распределение люминесценции в активном элементе мощных квантронов с диодной накачкой

С. Д. Таривердиев, А. Е. Дракин, О. В. Пагаев, Г. Т. Микаелян, А. Л. Коромыслов, А. В. Березуцкий, А. И. Демидчик С.Д.Таривердиев, А.В.Березуцкий. ООО «Лассард», Россия, 109316 Москва, Варшавское шоссе, д. 26, стр. 11; Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», Россия, 115409 Москва, Каширское ш., 31; e-mail: tariverdiyev91@mail.ru А.Е.Дракин, А.Л.Коромыслов. Физический институт им. П.Н.Лебедева РАН, Россия,… Read More »

Мощный источник спектрально-узкополосного излучения на основе интегрированных лазерных диодов с внешним резонатором

В. А. Панарин, Г. Т. Микаелян, И. В. Галушка, Н. Н. Беглецова, И. А. Зимин, А. Е. Дракин, Н. В. Дьячков, Т. И. Гущик, А. П. Богатов Аннотация: Продемонстрирована интеграция 24-х лазерных диодов с внешним резонатором в один спектрально-узкополосный излучатель с длиной волны вблизи 779 нм, суммарной мощностью свыше 35 Вт и шириной спектра не… Read More »

Влияние толщины пассивирующего реактивного титанового слоя зеркальных граней на электрические характеристики диодных лазеров

Н. С. Утков, А. Е. Дракин, Г. Т. Микаелян ООО “Лассард”, г.Обнинск, Московская обл. Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва ООО “НПП Инжект”, Россия, Саратов Аннотация: Описан метод определения допустимой толщины слоя титана для пассивирования излучающих граней диодного лазера. Пассивация реактивным металлом легко встраиваема в процесс производства диодных лазеров. В… Read More »