A. A. Koronnov, N. F. Salova, M. M. Zemlyanov, A. V. Grinin, A. E. Safutin, E. V. Kuznetsov, M. A. Ladugin, M. Yu. Kuznetsov, N. N. Bragin, A. V. Mamin M.F. Stel’makh Polyus Research Institute, Moscow K.G. Razumovsky State University of Technology and Management, Moscow Abstract: Based on an epitaxial InGaAs/InP structure, we have designed… Read More »
А. А. Короннов, Н. Ф. Салова, М. М. Землянов, А. В. Гринин, А. Е. Сафутин, Е. В. Кузнецов, М. А. Ладугин, М. Ю. Кузнецов, Н. Н. Брагин, А. В. Мамин НИИ “Полюс” им. М. Ф. Стельмаха, г. Москва Московский государственный университет технологий и управления им. К.Г.Разумовского Аннотация: На основе эпитаксиальной структуры InGaAs/InP разработан и создан мезафотодиод с входом излучения через подложку и диаметром чувствительной области 150 мкм. Предпочтительность использования данного фотодиода в фотоприемных устройствах систем… Read More »