Tag Archives: М. Р. Бутаев

https://www.mathnet.ru/rus/person151398

mbutayev@mail.ru

Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”, г. Москва
Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва

Полупроводниковый лазер с оптической накачкой на основе наноразмерной гетероструктуры CdS/ZnSe с разрывами зон второго типа

М. Р. Бутаев, В. И. Козловский, Я. К. Скасырский Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”, г. Москва Аннотация: Исследован полупроводниковый лазер c оптической накачкой на основе наноразмерной гетероструктуры CdS/ZnSe, содержащей 10 квантовых ям с разрывами зон второго типа. Структура выращена методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на… Read More »

Наносекундный полупроводниковый дисковый лазер с длиной волны излучения 496.5 нм

М. Р. Бутаев, В. И. Козловский, Я. К. Скасырский Физический институт им. П. Н. Лебедева, г. Москва Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”, г. Москва Аннотация: Исследован полупроводниковый дисковый лазер c оптической накачкой на основе гетероструктуры, содержащей десять сдвоенных квантовых ям CdS/ZnSe с разрывами зон второго типа. Структура выращена методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений (ГФЭМОС)… Read More »

Полупроводниковый дисковый лазер с длиной волны излучения 780 нм на гетероструктуре AlxGa1– xAs/AlyGa1– yAs, выращенной методом MOCVD, с оптической накачкой и накачкой электронным пучком

М. Р. Бутаев, Я. К. Скасырский, В. И. Козловский, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, А. А. Мармалюк Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”, г. Москва АО “НИИ “Полюс” им. М.Ф.Стельмаха”, Москва, Россия Аннотация: Исследован импульсный полупроводниковый дисковый лазер на структуре AlxGa1–xAs/AlyGa1–yAs с резонанснопериодическим усилением… Read More »

Полупроводниковый лазер на основе гетероструктуры CdS/ZnSe с продольной оптической накачкой излучением лазерного диода

М. Р. Бутаев, В. И. Козловский, Я. К. Скасырский Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”, г. Москва Аннотация: Исследован полупроводниковый лазер c оптической накачкой на основе гетероструктуры CdS/ZnSe, содержащей 10 сдвоенных квантовых ям. Структура выращена методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на подложке GaAs. На… Read More »