Tag Archives: Н. А. Волков

Влияние легирования волновода на выходные характеристики лазерных излучателей на основе AlGaAs/GaAs

К. Ю. Телегин, М. А. Ладугин, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, Н. А. Волков, А. А. Падалица, А. В. Лобинцов, А. Н. Апарников, С. М. Сапожников, А. А. Мармалюк АО «НИИ “Полюс” им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”, г. Москва Аннотация: Проанализировано влияние легирования волноводных слоев на выходные характеристики… Read More »

Полупроводниковые лазеры на основе гетероструктур AlGaInAs/InP со сверхузким волноводом и повышенным электронным барьером

В. Н. Светогоров, Ю. Л. Рябоштан, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, Н. А. Волков, А. А. Мармалюк, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин ООО “Сигм Плюс”, г. Москва Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”, г. Москва Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, г. С.-Петербург Аннотация: Созданы полупроводниковые лазеры на… Read More »

Улучшение параметров вольт-амперной характеристики полупроводниковых лазеров InGaAs/AlGaAs/GaAs (λ = 940–980 нм) с расширенным асимметричным волноводом

Н. А. Волков, К. Ю. Телегин, Н. В. Гультиков, Д. Р. Сабитов, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, А. А. Падалица, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Л. И. Шестак, А. А. Козырев, В. А. Панарин ООО “Сигм Плюс”, г. Москва Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”, г. Москва ФГУП Научно-производственное предприятие “Инжект”, г. Саратов Аннотация:… Read More »