Н. С. Утков – QUANTUM ELECTRONICS

Effect of the thickness of the passivating reactive titanium layer of mirror facets on the electrical characteristics of diode lasers

N. S. Utkov, A. E. Drakin, G. T. Mikayelyan a Lassard systems, Obninsk, Moscow region b P. N. Lebedev Physical Institute of the Russian Academy of Sciences, Moscow c Inject Ltd., Saratov Abstract: A method is described for determining an allowable thickness of a titanium layer for passivating emitting faces of a diode laser. Reactive… Read More »

Влияние толщины пассивирующего реактивного титанового слоя зеркальных граней на электрические характеристики диодных лазеров

Н. С. Утков, А. Е. Дракин, Г. Т. Микаелян ООО “Лассард”, г.Обнинск, Московская обл. Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва ООО “НПП Инжект”, Россия, Саратов Аннотация: Описан метод определения допустимой толщины слоя титана для пассивирования излучающих граней диодного лазера. Пассивация реактивным металлом легко встраиваема в процесс производства диодных лазеров. В… Read More »