П. А. Рябочкина – QUANTUM ELECTRONICS

Влияние мощности насыщения, глубины модуляции и времени релаксации насыщающегося поглотителя на параметры импульса солитонного волоконного лазера

А. А. Мастин, П. А. Рябочкина АУ “Технопарк Мордовия”, г. Саранск Национальный исследовательский Мордовский государственный университет им. Н. П. Огарева, г. Саранск Аннотация: Методом численного моделирования исследовано влияние мощности насыщения, глубины модуляции и времени релаксации насыщающегося поглотителя на энергию и форму импульса излучения волоконного солитонного лазера. Показано, что использование в волоконном лазере насыщающегося поглотителя с… Read More »

Генерационные характеристики кристаллов ZrO2 – Y2O3 – Ho2O3 при накачке импульсным излучением Tm : LiYF4-лазера

П. А. Рябочкина, С. А. Артемов, Н. Г. Захаров, Е. В. Салтыков, К. В. Воронцов, А. Н. Чабушкин, Е. Е. Ломонова Национальный исследовательский Мордовский государственный университет им. Н. П. Огарёва, г. Саранск ФГУП “Российский федеральный ядерный центр — ВНИИЭФ”, г. Саров Нижегородской обл. ООО “МЦКТ”, Московская обл., Одинцовский р-н, д. Сколково Институт общей физики им.… Read More »