Tag Archives: В. Б. Лаптев

Лазерное разделение изотопов углерода мощным ИК лазерным излучением

В. Б. Лаптев, С. В. Пигульский, Е. А. Рябов Институт спектроскопии РАН, Москва, г. Троицк Аннотация: Представлен обзор результатов, полученных в ходе разработки промышленной технологии лазерного разделения изотопов углерода на основе многофотонной диссоциации молекул излучением импульсного СО2-лазера. Приводятся ключевые научные и технические решения, позволившие создать такую технологию. Описывается первая в мире промышленная установка по производству… Read More »

Оптические и генерационные характеристики новых нелинейных кристаллов Ba2Ga8GeS16 и Ba2Ga8(GeSe2)S14 для среднего ИК диапазона

В. В. Бадиков, Д. В. Бадиков, Г. С. Шевырдяева, В. Б. Лаптев, А. А. Мельников, С. В. Чекалин Кубанский государственный университет, г. Краснодар Институт спектроскопии РАН, Москва, г. Троицк Аннотация: Впервые выращены монокристаллы Ba2Ga8GeS16 и Ba2Ga8(GeSe2)S14 большого размера и хорошего оптического качества. Измерены их линейные оптические характеристики – спектры пропускания в диапазоне 0.3 – 25… Read More »

Эффективное двухстадийное лазерное обогащение изотопа углерод-13 до 99% методом ИК многофотонной диссоциации молекул фреонов

В. Б. Лаптев, С. В. Пигульский Институт спектроскопии РАН, Москва, г. Троицк Аннотация: Рассмотрен новый способ лазерного двухступенчатого обогащения углерода-13 (13C) методом изотопически селективной ИК многофотонной диссоциации молекул фреонов, который позволяет с высокой производительностью достигать концентрации 13С 99% и более. На первой ступени в результате селективной диссоциации молекул CF2HCl (фреон-22) предполагается получать продукт диссоциации C2F4,… Read More »