Улучшение параметров вольт-амперной характеристики полупроводниковых лазеров InGaAs/AlGaAs/GaAs (λ = 940–980 нм) с расширенным асимметричным волноводом

By | 19.10.2022
0 Comment

Н. А. Волков, К. Ю. Телегин, Н. В. Гультиков, Д. Р. Сабитов, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, А. А. Падалица, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Л. И. Шестак, А. А. Козырев, В. А. Панарин

  • ООО “Сигм Плюс”, г. Москва
  • Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”, г. Москва
  • ФГУП Научно-производственное предприятие “Инжект”, г. Саратов
Аннотация: Целью работы было улучшение параметров вольт-амперной характеристики (ВАХ) полупроводниковых лазеров на основе двойных гетероструктур раздельного ограничения InGaAs/AlGaAs/GaAs с расширенным асимметричным волноводом. Проанализировано влияние состава волноводных слоев AlGaAs на выходные характеристики лазеров. Показано, что снижение последовательного сопротивления лазеров и напряжения отсечки ВАХ при уменьшении доли AlAs в волноводных слоях отодвигает начало падения дифференциальной квантовой эффективности с увеличением тока накачки, несмотря на уменьшение энергетической глубины квантовых ям активной области.
Ключевые слова: полупроводниковый лазер, асимметричный волновод, вольт-амперная характеристика, квантовая яма, выходная мощность
Поступила в редакцию: 15.11.2021
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2022, 52:2, 179–181
Образец цитирования: Н. А. Волков, К. Ю. Телегин, Н. В. Гультиков, Д. Р. Сабитов, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, А. А. Падалица, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Л. И. Шестак, А. А. Козырев, В. А. Панарин, “Улучшение параметров вольт-амперной характеристики полупроводниковых лазеров InGaAs/AlGaAs/GaAs (λ = 940–980 нм) с расширенным асимметричным волноводом”, Квантовая электроника, 52:2 (2022), 179–181 [Quantum Electron., 52:2 (2022), 179–181]