В. В. Кононенко, Е. В. Заведеев, М. A. Дежкина, В. В. Булгакова, М. С. Комленок, Т. В. Кононенко, В. В. Букин, В. И. Конов, С. В. Гарнов, А. A. Хомич
-
В.В.Кононенко, Е.В.Заведеев, М.A.Дежкина, В.В.Булгакова, М.С.Комленок, Т.В.Кононенко, В.В.Букин, В.И.Конов, С.В.Гарнов. Институт общей физики им. А.М.Прохорова РАН, Россия, 119991 Москва, ул. Вавилова, 38; e-mail: vitali.kononenko@nsc.gpi.ru
А.A.Хомич. Институт радиотехники и электроники РАН, Россия, Московская обл., 141120 Фрязино, пл. Введенского, 1
Аннотация: Впервые продемонстрирована способность полупроводникового алмаза преобразовывать лазерное излучение ближнего ИК диапазона в терагерцевое излучение. Набор фотопроводящих антенн на основе легированных бором (~1 ppm) монокристаллических алмазов был собран и протестирован в условиях накачки ультракороткими (τopt ≈ 150 фс) импульсами излучения с длиной волны 800 нм и импульсного напряжения (τE ≈ 10 нс, Ebias ≈ 10 кВ/см). Характеристики эмиттеров, легированных бором, сравнивались с недавно реализованными алмазными антеннами, легированными азотом, которые накачивались импульсами излучения с длиной волны 400 нм, поскольку замещающий азот требует гораздо более высокой энергии кванта для однофотонного возбуждения носителей. Полученные результаты являются еще одним шагом на пути к использованию алмаза в качестве материала для высокоэффективных фотопроводящих антенн.
Ключевые слова: фотопроводящие антенны, алмаз, легирование, терагерцевые источники.
Поступила в редакцию: 19.12.2022
Принята в печать: 19.12.2022
Образец цитирования: Кононенко В.В., Заведеев Е.В., Дежкина М.A., Булгакова В.В., Комленок М.С., Кононенко Т.В., Букин В.В., Конов В.И., Гарнов С.В., Хомич А.A. “Генерация терагерцевого излучения в легированном бором алмазе”, Квантовая электроника, 53 (1), 74–78 (2023).
Скачать (.pdf)