Д. А. Зимняков, С. С. Волчков, Л. А. Кочкуров, А. Ф. Дорогов
- Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю.А.
- Институт проблем точной механики и управления РАН, г. Саратов
Аннотация: На основе анализа экспериментальных данных о влиянии интенсивности импульсной лазерной накачки на спектральные свойства и размер зоны флуоресцентного отклика для флуоресцирующих случайно-неоднородных слоев установлено, что усиление спонтанного и вынужденного излучений существенно влияет на статистические свойства длин распространения парциальных составляющих флуоресцентного поля в слоях. Эксперименты проводились с насыщенными родамином 6Ж слоями наночастиц SiO2 и TiO2, накачиваемыми лазерным излучением на длине волны 532 нм в интервале интенсивностей, соответствующем переходу от режима возбуждения спонтанной флуоресценции в слое к режиму стохастической лазерной генерации. Экспериментальные данные сопоставлены с результатами статистического моделирования переноса флуоресценции. Показано, что даже при интенсивности накачки ниже пороговой для стохастической лазерной генерации усиление спонтанного излучения в слое приводит к существенному увеличению вкладов во флуоресцентный отклик парциальных составляющих с длинами распространения, намного бóльшими толщины слоев. Это может быть интерпретировано как проявление квазиволноводного эффекта, при котором вероятность распространения диффузных составляющих флуоресценции вдоль слоя на расстояния, многократно превышающие его толщину и размер области накачки, значительно возрастает при уменьшении характерной длины усиления излучения в слое.
Ключевые слова: случайно-неоднородная среда, флуоресценция, лазерная накачка, стохастическая лазерная генерация, спонтанное излучение, длина распространения.
Поступила в редакцию: 22.05.2020
Образец цитирования: Д. А. Зимняков, С. С. Волчков, Л. А. Кочкуров, А. Ф. Дорогов, “Особенности переноса флуоресценции в многократно рассеивающих случайно-неоднородных слоях при интенсивной лазерной накачке”, Квантовая электроника, 50:11 (2020), 1007–1014 [Quantum Electron., 50:11 (2020), 1007–1014]