Формирование лазерно-индуцированных периодических структур на тонких пленках нитридов переходных металлов и полупроводников
Институт автоматики и электрометрии СО РАН, г. Новосибирск b Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, г. Владивосток c Тихоокеанский квантовый центр, Дальневосточный федеральный университет Аннотация: Представлены результаты по формированию лазерно-индуцированных поверхностных периодических структур (ЛИППС) на пленках TiN, CrN и Ge3N4 толщиной 25 – 400 нм с помощью фемтосекундных лазерных импульсов видимого и ИК диапазонов. Исследовано влияние… Читать далее »