Одночастотный эрбиевый лазер на основе случайной распределенной обратной связи, реализованной на неоднородностях фазовой маски
М. И. Скворцов, С. Р. Абдуллина, А. А. Власов Институт автоматики и электрометрии СО РАН, г. Новосибирск Аннотация: Представлен одночастотный эрбиевый лазер, генерирующий на длине волны ∼1555.8 нм, со случайной распределенной обратной связью, которая реализована за счет неоднородностей фазовой маски при записи одиночной высокоотражающей волоконной брэгговской решетки. Спектр такой решетки содержит асимметричные боковые резонансы, расположенные преимущественно в длинноволновой области спектра. На длине… Читать далее »