Ватт-амперные характеристики мощных импульсных полупроводниковых лазеров (1060 нм), работающих при повышенных (до 90 °С) температурах

Аннотация: Исследованы импульсные излучательные характеристики мощных полупроводниковых лазеров на основе асимметричной гетероструктуры InGaAs/AlGaAs/GaAs с активной областью, включающей две квантовые ямы, и градиентным волноводом со стороны р-эмиттера. Показано, что использование предложенной конструкции позволяет обеспечить эффективную работу лазеров при накачке импульсами тока длительностью 100 нс в интервале температур 25 – 90 °C. Лазеры с длиной резонатора Фабри–Перо 2900 мкм продемонстрировали пиковую мощность 62 Вт (ток инжекции 123 А) и 43 Вт (122 А) при температурах 25 °C и 90 °C соответственно. Показано, что при комнатной температуре и уровне токов ~50 А уменьшение длины резонатора до 600 мкм не приводит к снижению излучаемой мощности по сравнению с лазерами с длинным (2900 мкм) резонатором. Увеличение температуры до 90 °C при высоких токах накачки приводит к резкому падению излучательной эффективности лазеров с коротким (600 мкм) резонатором и переходу их в режим с двухполосным спектром генерации.

Ключевые слова: полупроводниковые лазеры, гетероструктура, импульсная накачка, спектр лазерной генерации