Архив рубрики: Лазеры

Когерентный суперконтинуум среднего ИК диапазона в световоде с полой сердцевиной, заполненной смесью дейтерия и азота

Ю. П. Яценко, А .В. Гладышев, И. А. Буфетов Институт общей физики им. А.М.Прохорова РАН, Научный центр волоконной оптики им. Е.М.Дианова, Россия, 119991 Москва, ул. Вавилова, 38; e-mail: yuriya@fo.gpi.ru Аннотация: Численно исследовано преобразование энергии в область среднего ИК диапазона (более 2.2 мкм) при накачке чирпированными пикосекундными импульсами на длине волны 1.56 мкм газонаполненного револьверного световода… Читать далее »

Многоволновая генерация стоксовых компонент излучения с малым межволновым интервалом при вынужденном комбинационном рассеянии в кристалле SrMoO₄

С. Н. Сметанин, Д. П. Терещенко, А. Г. Папашвили, Е. В. Шашков, Е. А. Пеганов, К. А. Губина, В. Е. Шукшин, С. А. Солохин, М. Н. Ершков, Е. Э. Дунаева, И. С. Воронина, Л. И. Ивлева С.Н.Сметанин, Д.П.Терещенко, А.Г.Папашвили, Е.В.Шашков, Е.А.Пеганов, В.Е.Шукшин, Е.Э.Дунаева, И.С.Воронина, Л.И.Ивлева. Институт общей физики им. А.М.Прохорова РАН, Россия, 119991 Москва, ул.… Читать далее »

Мощные многомодовые полупроводниковые лазеры ( λ = 976 нм) на основе асимметричных гетероструктур с расширенным волноводом и пониженной расходимостью излучения в перпендикулярной плоскости

С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, Д. Н. Николаев, В. В. Шамахов, И. С. Шашкин, М. И. Кондратов, И. Н. Гордеев, А. Е. Гришин, А. Е. Казакова, П. С. Гаврина, К. В. Бахвалов, П. С. Копьев, Н. А. Пихтин Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН, Россия, 194021 С.-Петербург, Политехническая ул., 26; e-mail: SergHPL@mail.ioffe.ru Аннотация: Исследовано влияние… Читать далее »

Диэлектрические высокоотражающие зеркальные покрытия для квантовых каскадных лазеров с длиной волны излучения 4 – 5 мкм

К. А. Подгаецкий, А. В. Лобинцов, А. И. Данилов, А. В. Иванов, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, В. В. Дюделев, Д. А. Михайлов, Д. В. Чистяков, А. В. Бабичев, Г. М. Савченко, А. В. Лютецкий, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, А. Г. Гладышев, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, А. Ю. Егоров, Г.… Читать далее »

Пороговые характеристики ВКР-преобразования 1.56 → 2.84 мкм в метане при широкополосной накачке мощными частотно-модулированными импульсами эрбиевого волоконного источника

А. А. Крылов, А. В. Гладышев, Ю. П. Яценко, А. К. Сенаторов, А. Н. Колядин, А. Ф. Косолапов, М. М. Худяков, М. Е. Лихачев, И. А. Буфетов Институт общей физики им. А.М.Прохорова РАН, Научный центр волоконной оптики им. Е.М.Дианова РАН, Россия, 119991 Москва, ул. Вавилова, 38; e-mail: sokolak@mail.ru Аннотация: Исследованы пороговые характеристики ВКР-генерации на длине… Читать далее »

Оптимизация параметров резонатора мощных полупроводниковых лазеров InGaAs/AlGaAs/GaAs (λ = 1060 нм) для эффективной работы при сверхвысоких импульсных токах накачки

С. О. Слипченко, О. С. Соболева, В. С. Головин, Н. А. Пихтин Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН, Россия, 194021 С.-Петербург, Политехническая ул., 26; e-mail: Serghpl@mail.ioffe.ru Аннотация: На основе разработанной численной 2D модели полупроводниковых лазеров исследовано влияние характеристик резонатора на потери, а также проанализирован выбор параметров резонатора для эффективной работы лазера при сверхвысоких токах накачки. Показано,… Читать далее »

Электроразрядный KrCl-лазер с высокой мощностью накачки

С. А. Ямпольская, А. Г. Ястремский, Ю. Н. Панченко, А. В. Пучикин, Е. В. Горлов С.А.Ямпольская, А.Г.Ястремский, А.В.Пучикин. Институт сильноточной электроники СО РАН, Россия, 634055 Томск, просп. Академический, 2/3; e-mail: s_yampolskaya@yahoo.com Е.В.Горлов. Институт оптики атмосферы им. В.Е.Зуева СО РАН, Россия, 634055 Томск, пл. Акад. Зуева, 1 Ю.Н.Панченко. Институт сильноточной электроники СО РАН, Россия, 634055 Томск,… Читать далее »

Источник мощного импульсного лазерного излучения (1060 нм) с высокой частотой следования импульсов на основе гибридной сборки линейки лазерных диодов и 2D массива оптотиристоров как высокоскоростного токового ключа

С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, В. В. Золотарев, Л. С. Вавилова, А. Ю. Лешко, М. Г. Растегаева, И. В. Мирошников, И. С. Шашкин, Н. А. Пихтин, Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, В. А. Симаков Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург АО «НИИ “Полюс”… Читать далее »

Квазинепрерывные микролинейки мощных полупроводниковых лазеров (λ = 976 нм) с увеличенной длиной резонатора на основе асимметричных гетероструктур с широким волноводом

С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, В. А. Крючков, В. А. Стрелец, И. С. Шашкин, Н. А. Пихтин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург Аннотация: Разработаны микролинейки полупроводниковых лазеров с длиной резонатора 6 мм, включающие в себя излучающие области размером 5×100 мкм с фактором заполнения 25 %. Установлено, что в диапазоне… Читать далее »

Лазерные диоды (850 нм) на основе асимметричной AlGaAs/GaAs-гетероструктуры с объемной активной областью для генерации мощных субнаносекундных оптических импульсов

А. А. Подоскин, И. В. Шушканов, В. В. Шамахов, А. Э. Ризаев, М. И. Кондратов, А. А. Климов, С. В. Зазулин, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург ЗАО ПК “ФИД-Техника”, г. Санкт-Петербург Аннотация: Разработаны и исследованы лазерные диоды, изготовленные на основе асимметричной гетероструктуры AlGaAs/GaAs с… Читать далее »