М. Р. Бутаев, В. И. Козловский, Я. К. Скасырский
- Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
- Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”, г. Москва
Аннотация: Исследован полупроводниковый лазер c оптической накачкой на основе гетероструктуры CdS/ZnSe, содержащей 10 сдвоенных квантовых ям. Структура выращена методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на подложке GaAs. На ее основе изготовлен микрорезонатор с интерференционными диэлектрическими зеркалами. При комнатной температуре и продольной накачке микрорезонатора излучением импульсного лазерного диода на гетероструктуре InGaN/GaN с длиной волны 438 нм достигнута пиковая мощность излучения 110 мВт на длине волны 508 нм при длительности импульса 65 нс.
Ключевые слова: газофазная эпитаксия из металлоорганических соединений, полупроводниковый лазер, CdS/ZnSe-гетероструктура, квантовые ямы, оптическая накачка.
Поступила в редакцию: 16.12.2021
Принята в печать:16.12.2021
Образец цитирования: М. Р. Бутаев, В. И. Козловский, Я. К. Скасырский, “Полупроводниковый лазер на основе гетероструктуры CdS/ZnSe с продольной оптической накачкой излучением лазерного диода”, Квантовая электроника, 52:4 (2022), 359–361 [Quantum Electron., 52:4 (2022), 359–361]