В. П. Митрохин, А. Д. Саввин, В. А. Симонова, А. А. Сироткин, К. Н. Фирсов, А. Е. Дормидонов
- Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н. Л. Духова, г. Москва
- Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук, г. Москва
Аннотация: Исследована генерация лазеров трехмикронного диапазона на кристаллах Er3+:YAG, Er3+:Cr3+:YSGG и Ho3+:Yb3+:Cr3+:YSGG при оптической накачке импульсными диодными матрицами с суммарной пиковой мощностью до 15 кВт на длине волны 970 нм и частоте следования импульсов до 50 Гц. В лазере на кристалле Er3+:Cr3+:YSGG с диодной накачкой впервые достигнута максимальная энергия выходного излучения более 0.8 Дж в режиме свободной генерации. В случае активной модуляции добротности пиковая мощность выходных лазерных импульсов длительностью 55 нс превышала 1 МВт со стабильностью энергии (стандартным отклонением) менее 3 %. При использовании разработанных лазерных систем в качестве источников стабильной импульсной накачки лазера на монокристалле Fe2+:ZnSe с коротким оптическим резонатором получены импульсы длительностью менее 2 нс на длине волны в окрестности 4.3 мкм.
Ключевые слова: кристаллы Er3+:YAG, Er3+:Cr3+:YSGG, Ho3+:Yb3+:Cr3+:YSGG, Fе2+:ZnSe, диодная накачка, твердотельный лазер, средний ИК диапазон.
Поступила в редакцию: 07.04.2022
Образец цитирования: В. П. Митрохин, А. Д. Саввин, В. А. Симонова, А. А. Сироткин, К. Н. Фирсов, А. Е. Дормидонов, “Лазеры на кристаллах Er:YAG, Er:Cr:YSGG и Ho:Yb:Cr:YSGG с диодной накачкой высокой мощности”, Квантовая электроника, 52:7 (2022), 597–603