Терагерцевая лазерная генерация на гибридном поверхностном плазмоне в структуре на основе HgCdTe

Автор: | 02.11.2022
Нет комментариев

А. А. Дубинов, В. Я. Алешкин, В. И. Гавриленко, В. В. Румянцев, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. В. Уточкин, С. В. Морозов

  • Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
  • Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
  • Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
Аннотация: Исследована возможность усиления терагерцевого гибридного поверхностного плазмона в структуре с эпитаксиальной пленкой Hg0.82Cd0.18Te, выращенной на подложке GaAs и покрытой слоем металла. Показано, что при толщине пленки 100 нм и температуре 80 K модовое усиление гибридного поверхностного плазмона может быть больше внешних потерь при интенсивности излучения накачки с длиной волны 2.3 мкм, превышающей 850 кВт/см2. Дополнительное легирование слоя Hg0.82Cd0.18Te донорной примесью с концентрацией 4 × 1017 см-3 приведет к уменьшению пороговой интенсивности накачки в 1.5 раза.
Ключевые слова: гибридный плазмон, терагерцевое излучение, лазер
Поступила в редакцию: 07.10.2020
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2021, 51:2, 158–163
Образец цитирования: А. А. Дубинов, В. Я. Алешкин, В. И. Гавриленко, В. В. Румянцев, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. В. Уточкин, С. В. Морозов, “Терагерцевая лазерная генерация на гибридном поверхностном плазмоне в структуре на основе HgCdTe”, Квантовая электроника, 51:2 (2021), 158–163 [Quantum Electron., 51:2 (2021), 158–163]