Подборка работ, доложенных на Симпозиуме «Полупроводниковые лазеры: физика и технология»
Полупроводниковые лазеры на основе AlGaInAs/InP с повышенным электронным барьером
А. А. Мармалюк, А. В. Иванов, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, М. А. Ладугин, А. В. Лобинцов, А. А. Падалица, В. И. Романцевич, Ю. Л. Рябоштан, С. М. Сапожников, В. Н. Светогоров, В. А. Симаков 519–521
Лазеры на квантовых точках с асимметричными барьерными слоями: близкие к идеальным пороговые и мощностные характеристики
Л. В. Асрян 522–528
Влияние параметров квантоворазмерной области (Al)GaAs/AlGaAs на пороговую плотность тока лазерных диодов
М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк 529–534
Стимулированное излучение, фотолюминесценция и локализация неравновесных носителей заряда в сверхтонких (монослойных) квантовых ямах GaN/AlN
Е. В. Луценко, Н. В. Ржеуцкий, А. В. Нагорный, А. В. Данильчик, Д. В. Нечаев, В. Н. Жмерик, С. В. Иванов 535–539
Стимулированное излучение эпитаксиальных слоев AlGaN, выращенных методом аммиачной молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках сапфира
Е. В. Луценко, Н. В. Ржеуцкий, А. Г. Войнилович, И. Е. Свитенков, А. В. Нагорный, В. А. Шуленкова, Г. П. Яблонский, А. Н. Алексеев, С. И. Петров, Я. А. Соловьёв, А. Н. Петлицкий, Д. В. Жигулин, В. А. Солодуха 540–544
Электронные и оптические свойства гибридных гетероструктур GaN/por-Si(111)
П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Д. С. Золотухин, А. С. Леньшин, А. М. Мизеров, И. Н. Арсентьев, Г. Ляйсте, М. Ринке 545–551
Стабильный режим генерации лазерного излучения в микропорошках CdSSe
М. С. Леоненя, А. В. Нагорный, Б. Д. Урманов, В. А. Шуленкова, Г. П. Яблонский 552–555
Влияние содержания Cd в барьерах на пороговую энергию оже-рекомбинации в волноводных структурах с квантовыми ямами на основе HgTe/CdxHg1-xTe, излучающих на длине волны 18 мкм
М. А. Фадеев, А. А. Дубинов, В. Я. Алешкин, В. В. Румянцев, В. В. Уточкин, В. И. Гавриленко, Ф. Теп, Х.-В. Хюберс, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, С. В. Морозов 556–558
Генерация разностной частоты в двухчастотном полупроводниковом дисковом лазере: модель с запаздывающей обратной связью
Ю. А. Морозов, М. И. Балакин, Л. А. Кочкуров, А. И. Конюхов, М. Ю. Морозов 559–562
Активная область функционально-интегрированного лазера-модулятора
Е. А. Рындин, Б. Г. Коноплев 563–569
Лазеры
Управление спектральными параметрами ионов неодима в анизотропных кристаллах со структурой шеелита
Г. В. Шилова, А. А. Сироткин, П. Г. Зверев 570–576
Лазерная плазма
Трехканальный поляроинтерферометр для диагностики лазерной плазмы с фемтосекундным временным разрешением
Е. А. Болховитинов, Г. А. Господинов, К. А. Иванов, А. А. Рупасов, А. Б. Савельев 577–580
Прецизионное измерение потерь в оптических волокнах малой длины рефлектометрическим методом без использования рэлеевского рассеяния света
Б. Г. Горшков, Г. Б. Горшков, К. М. Жуков 581–584
Исследование характеристик оптического преобразования длины волны с помощью нового волокна с сильной нелинейностью и ультравыровненной дисперсией
С. Селвендран, А. Сиванантарайя 585–592
Лазерное разделение изотопов
Изотопно-селективная лазерная ИК диссоциация смешанных ван-дер-ваальсовых кластеров (CF3Br)mArn
А. Н. Петин, Г. Н. Макаров 593–599
Стандарты частоты
Мультичастотный источник накачки КПН-резонансов на основе диодного лазера с внешним резонатором
А. А. Исакова, Н. Н. Головин, К. Н. Савинов, А. К. Дмитриев 600–603
Лазерная спектроскопия
Измерения полностью разрешенного контура линии поглощения углекислого газа в полосе на λ = 1.605 мкм в столбе атмосферы методом гетеродинной спектрорадиометрии высокого разрешения
С. Г. Зеневич, А. Ю. Климчук, В. М. Семенов, М. В. Спиридонов, А. В. Родин 604–611
Персоналия
К 90-летию Ю.М. Попова
О. Н. Крохин 612