Архив рубрики: Лазеры

П. С. Гаврина, А. А. Подоскин, Е. В. Фомин, Д. А. Веселов, В. В. Шамахов, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, П. С. Копьев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, г. С.-Петербург ООО »Эльфолюм», г. С.-Петербург Аннотация: Исследованы импульсные излучательные характеристики мощных полупроводниковых лазеров на основе асимметричной гетероструктуры InGaAs/AlGaAs/GaAs с активной областью, включающей две квантовые… Читать далее »

И. А. Фёдоров ФГУП «Российский научный центр «Прикладная химия»», г. С.-Петербург Аннотация: Выполнено расчётно-экспериментальное исследование возможности замены трифторида азота NF3, используемого в составе топливной композиции NF3 – D2 – He в генераторе атомарного фтора сверхзвукового непрерывного химического НF-лазера, тетрафторгидразином N2F4. В результате сопоставления удельных энергетических характеристик HF-лазера, работающего с использованием каждого из окислителей, показано, что… Читать далее »

Н. А. Волков, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, Ю. Л. Рябоштан, В. Н. Светогоров, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин ООО «Сигм Плюс», г. Москва Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», г. Москва Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, г.… Читать далее »

Ю. К. Бобрецова, Д. А. Веселов, А. А. Подоскин, Н. В. Воронкова, С. О. Слипченко, М. А. Ладугин, Т. А. Багаев, А. А. Мармалюк, Н. А. Пихтин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, г. С.-Петербург АО «НИИ «Полюс» им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва Аннотация: Представлена методика исследования поглощения оптического излучения в слоях полупроводниковой гетероструктуры… Читать далее »

В. А. Олещенко, А. П. Богатов, Н. В. Дьячков, В. В. Безотосный Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва Аннотация: Проведен анализ достигнутых уровней выходной мощности одиночных линеек лазерных диодов (ЛЛД) и плотности мощности излучения двумерных матриц лазерных диодов (МЛД). Предложена новая конструкция МЛД и приведены результаты моделирования её теплового режима. При использовании… Читать далее »

Чжунюэ Чжан, Лияо Чжан, Минсюань Чжан, Шуан Яо, Пэн Юй, Сяодань Ли Department of Physics, University of Shanghai for Science and Technology Аннотация: Предложена структура с квантовыми точками (КТ) II типа GaAsBi в GaSb для лазеров среднего и дальнего ИК диапазонов. Для моделирования распределения деформаций и зонной структуры предложенных гетероструктур с различными содержанием Bi и… Читать далее »

Ш. Т. Бердыбаева, Е. Н. Тельминов, Т. А. Солодова, Е. Н. Никонова, Л. Г. Самсонова, Т. Н. Копылова Томский государственный университет Аннотация: Изучены особенности спонтанного и вынужденного излучений полифлуоренов, поливинилкарбазола и низкомолекулярных электронодонорных соединений, допированных в различные материалы, в присутствии паров нитротолуола. Реализован лазерный режим в планарных тонкопленочных волноводах. Представлена динамика интенсивностей спектров генерации тонкопленочного… Читать далее »

В. Р. Шидловский, М. В. Шраменко, С. Д. Якубович ООО «Оптон», г. Москва Аннотация: Экспериментально исследована работа перестраиваемого низкокогерентного источника света высокой спектральной яркости тандемного типа, использующего серийные оптические элементы – суперлюминесцентный диод, полупроводниковый оптический усилитель и объемную дифракционную решетку. Экспериментально получена замечательная комбинация выходных характеристик источника: спектральная плотность мощности – 36 мВт/нм, диапазон перестройки… Читать далее »

Н. А. Волков, В. Н. Светогоров, Ю. Л. Рябоштан, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин ООО «Сигм Плюс», г. Москва Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», г. Москва Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, г.… Читать далее »

С. М. Першин, М. Я. Гришин, В. А. Завозин, В. С. Макаров, В. Н. Леднёв, А. Н. Фёдоров, А. В. Мясников, А. В. Тюрин Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва Институт космических исследований РАН, г. Москва Государственный астрономический институт им. П. К. Штернберга МГУ Аннотация: Получена генерация импульса излучения длительностью 3 нс… Читать далее »