Архив рубрики: Лазеры

Генерация мощных фемтосекундных ИК импульсов с малым числом колебаний поля при параметрическом усилении с двойным чирпированием

С. А. Фролов, В. И. Трунов Институт лазерной физики СО РАН, г. Новосибирск Новосибирский государственный университет Новосибирский государственный технический университет Аннотация: Представлена масштабируемая по энергии схема генерации мощных фемтосекундных ИК импульсов с малым числом колебаний поля (малопериодные импульсы), основанная на последовательном параметрическом усилении чирпированных импульсов излучений на холостой (0.86 мкм) и сигнальной (1.39 мкм) длинах… Читать далее »

Полупроводниковые лазеры на основе гетероструктур AlGaInAs/InP со сверхузким волноводом и повышенным электронным барьером

В. Н. Светогоров, Ю. Л. Рябоштан, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, Н. А. Волков, А. А. Мармалюк, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин ООО «Сигм Плюс», г. Москва Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», г. Москва Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, г. С.-Петербург Аннотация: Созданы полупроводниковые лазеры на… Читать далее »

Адаптивная система коррекции волнового фронта лазерного комплекса PEARL

А. А. Соловьев, А. В. Котов, С. Е. Перевалов, М. В. Есюнин, М. В. Стародубцев, А. Г. Александров, И. В. Галактионов, В. В. Самаркин, А. В. Кудряшов, В. Н. Гинзбург, А. П. Коробейникова, А. А. Кочетков, А. А. Кузьмин, А. А. Шайкин, И. В. Яковлев, Е. А. Хазанов ФИЦ «Институт прикладной физики РАН», г. Нижний… Читать далее »

Ватт-амперные характеристики мощных импульсных полупроводниковых лазеров (1060 нм), работающих при повышенных (до 90 °С) температурах

П. С. Гаврина, А. А. Подоскин, Е. В. Фомин, Д. А. Веселов, В. В. Шамахов, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, П. С. Копьев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, г. С.-Петербург ООО »Эльфолюм», г. С.-Петербург Аннотация: Исследованы импульсные излучательные характеристики мощных полупроводниковых лазеров на основе асимметричной гетероструктуры InGaAs/AlGaAs/GaAs с активной областью, включающей две квантовые… Читать далее »

О возможности применения тетрафторгидразина в качестве окислителя в сверхзвуковом непрерывном химическом НF-лазере

И. А. Фёдоров ФГУП «Российский научный центр «Прикладная химия»», г. С.-Петербург Аннотация: Выполнено расчётно-экспериментальное исследование возможности замены трифторида азота NF3, используемого в составе топливной композиции NF3 – D2 – He в генераторе атомарного фтора сверхзвукового непрерывного химического НF-лазера, тетрафторгидразином N2F4. В результате сопоставления удельных энергетических характеристик HF-лазера, работающего с использованием каждого из окислителей, показано, что… Читать далее »

Полупроводниковые AlGaInAs/InP-лазеры (λ = 1450 – 1500 нм) с сильно асимметричным волноводом

Н. А. Волков, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, Ю. Л. Рябоштан, В. Н. Светогоров, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин ООО «Сигм Плюс», г. Москва Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», г. Москва Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, г.… Читать далее »

Экспериментальная методика исследования оптического поглощения в волноводных слоях полупроводниковых лазерных гетероструктур

Ю. К. Бобрецова, Д. А. Веселов, А. А. Подоскин, Н. В. Воронкова, С. О. Слипченко, М. А. Ладугин, Т. А. Багаев, А. А. Мармалюк, Н. А. Пихтин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, г. С.-Петербург АО «НИИ «Полюс» им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва Аннотация: Представлена методика исследования поглощения оптического излучения в слоях полупроводниковой гетероструктуры… Читать далее »

Моделирование конструкции двумерной матрицы лазерных диодов с прямым охлаждением потоком теплоносителя

В. А. Олещенко, А. П. Богатов, Н. В. Дьячков, В. В. Безотосный Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва Аннотация: Проведен анализ достигнутых уровней выходной мощности одиночных линеек лазерных диодов (ЛЛД) и плотности мощности излучения двумерных матриц лазерных диодов (МЛД). Предложена новая конструкция МЛД и приведены результаты моделирования её теплового режима. При использовании… Читать далее »

Структуры с квантовыми точками II типа GaAsBi в GaSb для лазеров среднего и дальнего ИК диапазонов

Чжунюэ Чжан, Лияо Чжан, Минсюань Чжан, Шуан Яо, Пэн Юй, Сяодань Ли Department of Physics, University of Shanghai for Science and Technology Аннотация: Предложена структура с квантовыми точками (КТ) II типа GaAsBi в GaSb для лазеров среднего и дальнего ИК диапазонов. Для моделирования распределения деформаций и зонной структуры предложенных гетероструктур с различными содержанием Bi и… Читать далее »

Спонтанное и вынужденное излучения полимерных тонкопленочных структур в присутствии паров нитротолуола

Ш. Т. Бердыбаева, Е. Н. Тельминов, Т. А. Солодова, Е. Н. Никонова, Л. Г. Самсонова, Т. Н. Копылова Томский государственный университет Аннотация: Изучены особенности спонтанного и вынужденного излучений полифлуоренов, поливинилкарбазола и низкомолекулярных электронодонорных соединений, допированных в различные материалы, в присутствии паров нитротолуола. Реализован лазерный режим в планарных тонкопленочных волноводах. Представлена динамика интенсивностей спектров генерации тонкопленочного… Читать далее »