Подборка работ, доложенных на Симпозиуме «Полупроводниковые лазеры: физика и технология» Полупроводниковые лазеры на основе AlGaInAs/InP с повышенным электронным барьером А. А. Мармалюк, А. В. Иванов, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, М. А. Ладугин, А. В. Лобинцов, А. А. Падалица, В. И. Романцевич, Ю. Л. Рябоштан, С. М. Сапожников, В. Н. Светогоров, В. А. Симаков… Читать далее »
В. А. Саутенков, С. А. Саакян, А. А. Бобров, Е. В. Вильшанская, Б. Б. Зеленер Объединенный институт высоких температур РАН, Россия, 125412 Москва, ул. Ижорская, 13, стр.2; e-mail: vsautenkov@gmail.com, saasear@gmail.com Аннотация: Обсуждены когерентные узкие резонансы в однородно уширенном контуре селективного отражения от поверхности раздела между окном кюветы и атомными парами рубидия высокой плотности, где дипольное… Читать далее »
Новосибирский государственный технический университет Институт лазерной физики СО РАН, г. Новосибирск Аннотация: Зарегистрированы резонансы когерентного пленения населенности (КПН) при многочастотной накачке ячейки с Rb-87 излучением диодного лазера с внешним резонатором при совместном действии СВЧ и ОВЧ модуляции тока инжекции. Измерены относительные амплитуды резонансов и частотные интервалы между ними. Ключевые слова: КПН-резонанс, диодный лазер, оптическая накачка, стандарт… Читать далее »
А. Е. Афанасьев, В. И. Балыкин Институт спектроскопии РАН, г. Москва, г. Троицк Национальный исследовательский университет “Высшая школа экономики”, г. Москва Аннотация: Представлен теоретический анализ спектральных свойств атомов, локализованных в оптической импульсной ловушке. Показано, что такой анализ можно проводить с использованием коэффициента корреляции, рассчитываемого из усредненной динамики возбуждения атома резонансным пробным лазерным излучением в присутствии… Читать далее »