Н. А. Распопов, Д. Г. Ревин, Л. И. Шестак, Г. Т. Микаелян, И. И. Засавицкий
- Физический институт им. П.Н.Лебедева РАН, Россия, 119991 Москва, Ленинский просп., 53
- University of Sheffield, Sheffield, S10 2TN United Kingdom
- НПП «Инжект», Россия, 410033 Саратов, ул. Элмашевская, вл. 3А, оф. 1
Аннотация: На основе напряженно-сбалансированной гетероструктуры Ga0.36In0.64As/Al0.576In0.424As разработан квантовый каскадный лазер с длиной волны излучения 4.6 мкм при 300 K. Гетеростуктура выращена методом МОС-гидридной эпитаксии, и каждый каскад состоит из 12 пар квантовых ям и барьеров. Активная область состоит из четырех квантовых ям. Степень разбалансировки гетероструктуры (net strain) составляет лишь 0.001 %. Лазер работает в импульсном режиме при температуре до 350 K, характеристическая температура Т0 составляет 140 K. Наблюдался сдвиг спектров излучения в зависимости от длины резонатора (0.5 – 3 мм) и от температуры. Определены коэффициенты модового усиления и волноводных потерь.
Ключевые слова: напряженная гетероструктура, GaInAs/AlInAs, квантовый каскадный лазер, спектры излучения вблизи 4.6 мкм.
Поступила в редакцию: 08.12.2025
Принята в печать: 19.03.2026
Образец цитирования: Н. А. Распопов, Д. Г. Ревин, Л. И. Шестак, Г. Т. Микаелян, И. И. Засавицкий, “Напряженно-сбалансированная гетероструктура Ga0.36In0.64As/Al0.576In0.424As для квантового каскадного лазера (λ ≈ 4.6 мкм)”, Квантовая электроника, 56 : 2 (2026), 69-72
Скачать (.pdf)