Напряженно-сбалансированная гетероструктура Ga0.36In0.64As/Al0.576In0.424As для квантового каскадного лазера (λ ≈ 4.6 мкм)
Н. А. Распопов, Д. Г. Ревин, Л. И. Шестак, Г. Т. Микаелян, И. И. Засавицкий Физический институт им. П.Н.Лебедева РАН, Россия, 119991 Москва, Ленинский просп., 53 University of Sheffield, Sheffield, S10 2TN United Kingdom НПП «Инжект», Россия, 410033 Саратов, ул. Элмашевская, вл. 3А, оф. 1 Аннотация: На основе напряженно-сбалансированной гетероструктуры Ga0.36In0.64As/Al0.576In0.424As разработан квантовый каскадный лазер… Read More »