В. А. Саутенков, С. А. Саакян, А. А. Бобров, Е. В. Вильшанская, Б. Б. Зеленер
-
Объединенный институт высоких температур РАН, Россия, 125412 Москва, ул. Ижорская, 13, стр.2; e-mail: vsautenkov@gmail.com, saasear@gmail.com
Аннотация: Обсуждены когерентные узкие резонансы в однородно уширенном контуре селективного отражения от поверхности раздела между окном кюветы и атомными парами рубидия высокой плотности, где дипольное уширение намного больше доплеровской ширины неразрешенных компонент D2-линии рубидия. Формирование когерентных резонансов вызвано когерентным рассеянием пробного и насыщающего оптических полей на осцилляциях населенностей основного и возбужденного состояний атомов на частоте биений. Ширина каждого резонанса зависит от скорости распада разности населенностей. В рамках простой модели мы нашли условия для наблюдения резонансов со спектральным профилем Лоренца. Экспериментально зарегистрированные когерентные резонансы описываются функцией Лоренца с подгоночными параметрами в виде амплитуды, ширины и спектральной подставки. В пределе нулевого оптического насыщения измеренная полуширина когерентного резонанса (HWHM) γres /2π составляет около 52 МГц, что значительно больше скорости радиационного распада возбужденного состояния 5P3/2 рубидия.
Ключевые слова: атомные пары металлов, дипольное уширение, когерентное рассеяние излучения, селективное отражение.
Поступила в редакцию: 30. 09.2022
Принята в печать: 30.09.2022
Образец цитирования: Саутенков В.А., Саакян С.А., Бобров А.А., Вильшанская Е.В., Зеленер Б.Б. “Когерентные резонансы в дипольно-уширенном контуре селективного отражения от поверхности раздела прозрачный диэлектрик – атомные пары рубидия”, Квантовая электроника, 53 (1), 69–73 (2023).
Скачать (.pdf)