Tag Archives: А. И. Данилов

Semiconductor lasers with improved radiation characteristics

A. I. Danilov, A. V. Ivanov, V. P. Konyaev, Yu. V. Kurnyavko, M. A. Ladugin, A. V. Lobintsov, A. A. Marmalyuk, S. M. Sapozhnikov, V. A. Simakov Polyus Research and Development Institute named after M. F. Stel’makh, Moscow Abstract: The characteristics of semiconductor emitters based on separate-confinement double heterostructures with quantum wells and different configurations… Read More »

Диэлектрические высокоотражающие зеркальные покрытия для квантовых каскадных лазеров с длиной волны излучения 4 – 5 мкм

К. А. Подгаецкий, А. В. Лобинцов, А. И. Данилов, А. В. Иванов, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, В. В. Дюделев, Д. А. Михайлов, Д. В. Чистяков, А. В. Бабичев, Г. М. Савченко, А. В. Лютецкий, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, А. Г. Гладышев, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, А. Ю. Егоров, Г.… Read More »

Полупроводниковые лазеры с улучшенными излучательными характеристиками

А. И. Данилов, А. В. Иванов, В. П. Коняев, Ю. В. Курнявко, М. А. Ладугин, А. В. Лобинцов, А. А. Мармалюк, С. М. Сапожников, В. А. Симаков Научно-исследовательский институт “Полюс” им. М. Ф. Стельмаха, г. Москва Аннотация: Исследованы характеристики полупроводниковых излучателей на основе двойных гетероструктур раздельного огра­ничения с квантовыми ямами и с различной конфигурацией волноводных… Read More »

Экспериментальные исследования мощных полупроводниковых одночастотных лазеров спектрального диапазона 1.5–1.6 мкм

О. О. Багаева, Р. Р. Галиев, А. И. Данилов, А. В. Иванов, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, Ю. В. Курнявко, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, В. И. Романцевич, В. А. Симаков, Р. В. Чернов, В. В. Шишков АО «НИИ “Полюс” им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники им. В. Г.… Read More »

Полупроводниковые лазеры с асимметричным периодическим оптически связанным волноводом на длину волны излучения 1.5 – 1.6 мкм

О. О. Багаева, А. И. Данилов, А. В. Иванов, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, Ю. В. Курнявко, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, В. И. Романцевич, Ю. Л. Рябоштан, В. А. Симаков, В. Н. Светогоров, Р. В. Чернов АО «НИИ “Полюс” им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва Аннотация: Разработаны мощные полупроводниковые лазеры с асимметричным… Read More »

Квантовый каскадный лазер с оптическими переходами «связанное состояние – квазиконтинуум», работающий при температуре до 371 K

И. С. Молодцов, Н. А. Распопов, А. В. Лобинцов, А. И. Данилов, А. Б. Крыса, И. И. Засавицкий Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва ОАО «НИИ “Полюс” им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва Department of Electronic and Electrical Engineering, University of Sheffield, UK Аннотация: На основе согласованной гетеропары Ga0.47In0.53As/Al0.48In0.52As разработан квантовый каскадный… Read More »

Тройной интегрированный лазер-тиристор

Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, Ю. В. Курнявко, А. В. Лобинцов, А. И. Данилов, С. М. Сапожников, В. В. Кричевский, В. П. Коняев, В. А. Симаков, С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, Н. А. Пихтин АО «НИИ “Полюс” им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва Физико-технический институт им. А.Ф.… Read More »