Tag Archives: А. В. Лютецкий

Диэлектрические высокоотражающие зеркальные покрытия для квантовых каскадных лазеров с длиной волны излучения 4 – 5 мкм

К. А. Подгаецкий, А. В. Лобинцов, А. И. Данилов, А. В. Иванов, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, В. В. Дюделев, Д. А. Михайлов, Д. В. Чистяков, А. В. Бабичев, Г. М. Савченко, А. В. Лютецкий, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, А. Г. Гладышев, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, А. Ю. Егоров, Г.… Read More »

Мощные лазерные диоды на основе InGaAs(Р)/Al(In)GaAs(P)/GaAs-гетероструктур с низкими внутренними оптическими потерями

С. О. Слипченко, Д. А. Веселов, В. В. Золотарев, А. В. Лютецкий, А. А. Подоскин, З. Н. Соколова, В. В. Шамахов, И. С. Шашкин, П. С. Копьев, Н. А. Пихтин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург Аннотация: Подробно изложены основные результаты работ по созданию мощных полупроводниковых лазерных диодов на основе асимметричных… Read More »

Селекция мод латерального волновода для реализации одномодового режима работы лазеров с распределенным брэгговским зеркалом

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург Аннотация: Теоретически исследованы возможности селекции мод латеральных волноводов мезаполосковой конструкции для реализации одномодового режима работы лазеров с поверхностным распределенным брэгговским зеркалом (РБЗ). Представлен анализ зависимости модовой дискриминации латеральных мод TE00 и TE01 от параметров лазерного кристалла: ширины мезаполоска, глубины мезаканавок и глубины РБЗ. Продемонстрирован алгоритм выбора данных параметров… Read More »

Квантово-каскадные лазеры мощностью 10 Вт для спектральной области 4.6 мкм

В. В. Дюделев, Д. А. Михайлов, А. В. Бабичев, С. Н. Лосев, Е. А. Когновицкая, А. В. Лютецкий, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, А. Г. Гладышев, Д. В. Денисов, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, В. И. Кучинский, А. Ю. Егоров, Г. С. Соколовский Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе, г. С.-Петербург Университет ИТМО,… Read More »

Разработка и исследование мощных квантово-каскадных лазеров для спектрального диапазона 4.5–4.6 мкм

В. В. Дюделев, Д. А. Михайлов, А. В. Бабичев, Г. М. Савченко, С. Н. Лосев, Е. А. Когновицкая, А. В. Лютецкий, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, А. Г. Гладышев, Д. В. Денисов, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, В. И. Кучинский, А. Ю. Егоров, Г. С. Соколовский Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, г. С.-Петербург… Read More »

Полупроводниковые лазеры на основе гетероструктур AlGaInAs/InP со сверхузким волноводом и повышенным электронным барьером

В. Н. Светогоров, Ю. Л. Рябоштан, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, Н. А. Волков, А. А. Мармалюк, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин ООО “Сигм Плюс”, г. Москва Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”, г. Москва Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, г. С.-Петербург Аннотация: Созданы полупроводниковые лазеры на… Read More »